麦斯塔微电子(深圳)有限公司黄寿获国家专利权
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龙图腾网获悉麦斯塔微电子(深圳)有限公司申请的专利MEMS谐振器及其复合制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511001645.1，技术领域涉及：H03H3/007；该发明授权MEMS谐振器及其复合制备方法是由黄寿设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS谐振器及其复合制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及其复合制备方法，MEMS谐振器复合制备方法包括：形成一高掺杂的第一单晶硅层，以作为支撑基底；在第一单晶硅层上形成压电材料层；在压电材料层上以第一设定速率形成种子层，以及在种子层上以第二设定速率外延形成主体层，种子层和主体层复合形成高掺杂的第二单晶硅层；对基于第一单晶硅层、压电材料层和第二单晶硅层构建的叠层结构层进行深反应离子刻蚀，形成谐振器本体、连接梁及锚固件，其中，谐振器本体悬空设置，以及谐振器本体经连接梁与锚固件连接。本申请提高MEMS谐振器的机电耦合效率和品质因数，以及保证MEMS谐振器的温度稳定性。
本发明授权MEMS谐振器及其复合制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS谐振器复合制备方法，其特征在于，包括： 形成一高掺杂的第一单晶硅层，以作为支撑基底； 在所述第一单晶硅层上形成压电材料层； 在所述压电材料层上以第一设定速率形成种子层，以及在所述种子层上以第二设定速率外延形成主体层，所述种子层和所述主体层复合形成高掺杂的第二单晶硅层，其中，所述第一设定速率包括0.05-0.2nms，所述第二设定速率包括0.1-1μmmin； 对基于所述第一单晶硅层、所述压电材料层和所述第二单晶硅层构建的叠层结构层进行深反应离子刻蚀，形成谐振器本体、连接梁及锚固件，其中，所述谐振器本体悬空设置，以及所述谐振器本体经所述连接梁与所述锚固件连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人麦斯塔微电子(深圳)有限公司，其通讯地址为：518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园1栋401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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