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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体结构和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510899885.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体结构和半导体器件是由李翠;金锐;和峰;刘江;田宝华;李哲洋;崔翔设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上，外延层包括外延层本体和沟槽，沟槽位于外延层本体中；栅极结构，至少位于沟槽中，栅极结构的侧壁与沟槽的部分侧壁接触；第一金属层，至少位于沟槽中，第一金属层的侧壁与沟槽的部分侧壁接触，在第一方向上，第一金属层位于栅极结构的一侧，第一方向垂直于衬底厚度的方向；第一掺杂区，位于外延层本体中，第一掺杂区位于第一金属层的远离栅极结构的一侧，且第一掺杂区与第一金属层接触，第一掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型不同。本申请解决了现有技术中槽栅MOSFET难以在保证槽底坚固性的同时保证元胞尺寸较小的问题。

本发明授权半导体结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的表面上，所述外延层包括外延层本体和沟槽，所述沟槽位于所述外延层本体中； 栅极结构，至少位于所述沟槽中，所述栅极结构的侧壁与所述沟槽的部分侧壁接触； 第一金属层，至少位于所述沟槽中，所述第一金属层的侧壁与所述沟槽的部分侧壁接触，在第一方向上，所述第一金属层位于所述栅极结构的一侧，所述第一方向垂直于所述衬底厚度的方向； 第一掺杂区，位于所述外延层本体中，所述第一掺杂区位于所述第一金属层的远离所述栅极结构的一侧，且所述第一掺杂区与所述第一金属层接触，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型不同； 第四掺杂区，位于所述外延层本体中，且位于所述第一掺杂区的远离所述第一金属层的一侧，所述第一掺杂区与所述第四掺杂区接触，所述第四掺杂区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同，所述第四掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度； 第五掺杂区，位于所述外延层本体中，且至少位于所述第一掺杂区的远离所述衬底的部分表面上以及所述第四掺杂区的远离所述衬底的表面上，所述第五掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，所述第五掺杂区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

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