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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510884394.X，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由王文智;王仲盛设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成栅极结构；在衬底和栅极结构侧壁上形成修复氧化层并进行垂直刻蚀，保留栅极结构侧壁上的修复氧化层；在栅极结构两侧的衬底内依次形成自下而上的轻掺杂区、过渡区和重掺杂区；在衬底上形成全覆盖的第一刻蚀停止层并刻蚀形成开口；在开口内形成补偿外延层；去除第一刻蚀停止层，至少金属化处理补偿外延层和衬底，形成金属硅化物层；再形成第二刻蚀停止层和层间介质层，并刻蚀至金属硅化物层，形成连接孔；在连接孔内形成导电插塞。通过本发明，能够简化制作工艺，提高制作效率，同时提高半导体器件的性能和良率。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上形成栅极结构； 在所述衬底和所述栅极结构侧壁上形成修复氧化层； 刻蚀所述修复氧化层，保留所述栅极结构侧壁的所述修复氧化层； 在所述栅极结构两侧的所述衬底内依次形成自下而上的轻掺杂区、过渡区和重掺杂区；通过垂直所述衬底进行离子注入，在所述栅极结构两侧形成所述轻掺杂区；调整离子注入角度，进行倾斜离子注入，在所述栅极结构两侧形成过渡区；再次垂直所述衬底进行离子注入，在所述栅极结构两侧形成重掺杂区； 在所述衬底上形成全覆盖的第一刻蚀停止层并刻蚀形成开口，所述开口暴露部分所述重掺杂区和至少部分所述栅极结构； 在所述开口内形成补偿外延层； 去除所述第一刻蚀停止层，至少金属化处理所述补偿外延层和部分所述衬底，形成金属硅化物层； 在所述衬底和所述金属硅化物层上形成第二刻蚀停止层和层间介质层； 刻蚀所述层间介质层至所述金属硅化物层，形成连接孔； 在所述连接孔内形成导电插塞。

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