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浙江大学时尧成获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利高功率适用的环形阵列硅基光学相控阵芯片及优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120233604B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510703433.1,技术领域涉及:G02F1/29;该发明授权高功率适用的环形阵列硅基光学相控阵芯片及优化方法是由时尧成;陈敬思;练岱欣;陈敬业设计研发完成,并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

高功率适用的环形阵列硅基光学相控阵芯片及优化方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高功率适用的环形阵列硅基光学相控阵芯片及优化方法。本发明中,耦合光栅模块用于接收入射光束,级联分光模块用于将入射光束分为多路未调制探测光束,相位调制模块用于对每路未调制光束进行相位调制,生成相位调制后探测光束,二维天线环形阵列模块用于将所有相位调制后探测光束发射到芯片外部,高功率展宽波导用于作为光束传输通道;二维天线环形阵列模块采用轴对称结构,主要由至少一个共圆心的二维天线环形阵列沿径向从内向外间隔排布而成,每个二维天线环形阵列主要由多个沿圆周均匀排布的二维光栅天线组成。本发明芯片具有高连续波光功率承载能力、低非线性损耗和热量堆积。

本发明授权高功率适用的环形阵列硅基光学相控阵芯片及优化方法在权利要求书中公布了:1.一种用于高功率适用的环形阵列硅基光学相控阵芯片的优化方法,其特征在于,包括以下步骤:使用遗传算法,根据远场光束旁瓣抑制比和热分布均匀性建立适应度函数,所述热分布均匀性由环数、径向间距和阵元间距决定;每个个体包括二维天线环形阵列的数量、环间径向间距和各个二维天线环形阵列的阵元间距,经多代选择、交叉和变异操作,满足终止条件后,得到最优个体,根据最优个体中的二维天线环形阵列的数量、环间径向间距和各个二维天线环形阵列的阵元间距制造并得到所述环形阵列硅基光学相控阵芯片; 所述适应度函数按照以下公式设置: f=SLSR-αp1-βp2-γp3 式中,f表示适应度,SLSR表示远场光束旁瓣抑制比,p1表示外环孔径的惩罚量,p2表示阵元间距的惩罚量,p3表示环间径向间距的惩罚量,α表示第一权重系数,β表示第二权重系数,γ表示第三权重系数;三个权重系数的范围分别为5~10、2~5和1~3; 三个惩罚量分别按照以下公式设置: p1=max[0,∑Am-AmaxAmax] p2=max[0,dmin-dedmin] p3=max[0,1.2Am-Am+1Am] 式中,max[]表示取最大值函数,Am表示第m环的孔径,Amax表示最大外环孔径限制,de表示最小阵元间距限制,dmin表示任意两个阵元间的最小间距; 所述优化方法还包括以下步骤:每个移相器阵列中,移相器沿对称轴方向等间距排布,通过热学仿真和光学仿真方法获得相邻移相器的间距,根据移相器的数量和间距计算得到移相器阵列在对称轴方向上的总宽度,根据移相器阵列在对称轴方向上的总宽度设置最大外环孔径限制; 所述环形阵列硅基光学相控阵芯片包括: 耦合光栅模块(1),用于接收入射光束; 级联分光模块(2),用于将入射光束分为多路未调制探测光束; 相位调制模块(3),用于对每路未调制光束进行相位调制,生成相位调制后探测光束; 二维天线环形阵列模块(4),用于将所有相位调制后探测光束发射到芯片外部;采用轴对称结构,主要由至少一个共圆心的二维天线环形阵列沿径向从内向外间隔排布而成,每个二维天线环形阵列主要由多个二维光栅天线(41)沿圆周均匀排布而成; 高功率展宽波导(6),用于作为光学通道; 所述耦合光栅模块(1)、级联分光模块(2)、二维天线环形阵列模块(4)和高功率展宽波导(6)通过刻蚀处理形成于厚硅层的顶面,所述高功率展宽波导(6)经全刻蚀处理形成,厚硅层的厚度为500nm,高功率展宽波导(6)的波导宽度选自800nm; 所述级联分光模块(2)包括第一级分光器和两个分光级联网络,两个分光级联网络对称布置二维天线环形阵列模块(4)的两侧,第一级分光器的输入端与耦合光栅模块(1)的输出端连接,第一级分光器的两个输出端分别与两个分光级联网络的输入端连接,每个分光级联网络的输出端与同一侧的二维天线环形阵列模块(4)连接;所述相位调制模块(3)包括两个移相器阵列,两个移相器阵列分别布置于两个分光级联网络的输出端的上方; 所述入射光束包括达到瓦量级功率的红外波段的连续波光。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学,其通讯地址为:310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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