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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利芯片封装方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510708189.8，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权芯片封装方法及芯片是由李博夫;李德建;吴坚;韩顺枫;李大猛;杨宝斌;巩宝良;张章章设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片封装方法及芯片，属于芯片封装技术领域。芯片封装方法包括：对第一目标晶圆进行晶圆测试，确定第一目标晶圆上的各待封装芯片的功耗测试值；根据所述功耗测试值的大小将各待封装芯片划分为多个芯片组，并依据各所述芯片组的功耗范围计算其允许的封装热阻；确定各所述芯片组满足所述封装热阻对应的封装优化结构；对第一目标晶圆上的各待封装芯片采用对应的封装优化结构进行封装。根据晶圆上的各待封装芯片的功耗进行分组，并针对各芯片组的封装热阻选择相应的封装优化方案进行封装，使得高功耗芯片使用高散热封装、低功耗芯片使用低散热封装，在满足芯片性能的前提下，解决了热冗余和散热不足的问题，达到低成本高性能封装。

本发明授权芯片封装方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括： 对第一目标晶圆进行晶圆测试，确定所述第一目标晶圆上的各待封装芯片的功耗测试值，所述晶圆测试的测试温度范围包括-50℃~120℃，所述第一目标晶圆上的各所述待封装芯片具有相同的电路架构，所述待封装芯片的静态功耗在总功耗中的比重随温度升高而增大，所述第一目标晶圆上的所述待封装芯片具有不同的静态功耗； 根据所述功耗测试值的大小将各待封装芯片划分为多个芯片组，并依据各所述芯片组的功耗范围计算其允许的封装热阻； 确定各所述芯片组满足所述封装热阻对应的封装优化结构，不同的所述封装优化结构具有不同的散热性能； 对所述第一目标晶圆上的各所述待封装芯片采用对应的所述封装优化结构进行封装，同一所述芯片组内的所述待封装芯片采用同样的所述封装优化结构封装； 根据若干个所述第一目标晶圆上的所述芯片组的分布情况生成晶圆功耗分布图，所述晶圆功耗分布图基于待封装芯片的功耗测试值确定各待封装芯片的分布区域； 根据所述晶圆功耗分布图对第二目标晶圆上各待封装芯片采用与所述分布区域对应的封装优化结构进行封装，所述第二目标晶圆上的各所述待封装芯片与所述第一目标晶圆上的各所述待封装芯片具有相同的电路架构； 所述晶圆功耗分布图包括功耗分布区和临界测试区，所述功耗分布区内分布有同一所述芯片组的待封装芯片，所述临界测试区位于多个所述功耗分布区之间，且分布有多个所述芯片组的待封装芯片；各所述功耗分布区和所述临界测试区在晶圆上沿从内向外的方向依次交替排布，外侧的区域包围内侧的区域，所述临界测试区分布有相邻两个所述功耗分布区对应的芯片组的待封装芯片，位于外侧的所述功耗分布区内的待封装芯片的功耗测试值大于位于内侧的所述功耗分布区内的待封装芯片的功耗测试值。

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