上海大学;松山湖材料实验室王刚获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学;松山湖材料实验室申请的专利一种具有抗辐照及低氢滞留潜力的钛基高熵非晶/钨多层薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120291038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510477155.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种具有抗辐照及低氢滞留潜力的钛基高熵非晶/钨多层薄膜及其制备方法和应用是由王刚;刘炳尧;孙康;贾延东;张博设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有抗辐照及低氢滞留潜力的钛基高熵非晶/钨多层薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有抗辐照及低氢滞留潜力的钛基高熵非晶钨多层薄膜及其制备方法和应用，属于核能材料技术领域。所述钛基高熵非晶钨多层薄膜由下至上依次为第一TiVZrNbTaMoB合金层、W层和第二TiVZrNbTaMoB合金层，其中，所述第一TiVZrNbTaMoB合金层和所述第二TiVZrNbTaMoB合金层中TiVZrNbTaMoB合金的原子百分比为：Ti：45‑50％，V：20‑30％，Zr：8‑15％，Nb：10‑20％，Ta：0.5‑3％，Mo：0.3‑1％，B：0.1‑0.3％。其制备工艺主要采用磁控溅射法。得到的多层薄膜具有抗辐照及低氢滞留潜力。
本发明授权一种具有抗辐照及低氢滞留潜力的钛基高熵非晶/钨多层薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有抗辐照及低氢滞留潜力的钛基高熵非晶钨多层薄膜，其特征在于，其由下至上依次为第一TiVZrNbTaMoB合金层、W层和第二TiVZrNbTaMoB合金层，其中，所述第一TiVZrNbTaMoB合金层和所述第二TiVZrNbTaMoB合金层中TiVZrNbTaMoB合金的原子百分比为：Ti：45-50％，V：20-30％，Zr：8-15％，Nb：10-20％，Ta：0.5-3％，Mo：0.3-1％，B：0.1-0.3％。
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