中国科学院上海技术物理研究所王振获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种铋氧硒纳米片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120039833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510325182.8，技术领域涉及：C01B19/00；该发明授权一种铋氧硒纳米片的制备方法是由王振;胡伟达;段世杰;赵天歌;许航瑀;康乾龙;姚碧霂;王进设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铋氧硒纳米片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于铋氧硒纳米片技术领域，具体涉及一种Bi3O2.5Se2纳米片的制备方法。本发明采用化学气相沉积的方法，以Bi2Se3和含有结晶水的KI分别作为前驱体和供氧源形成混合物，将基底置于所述混合物的上方，在通入载气的条件下加热所述混合物进行反应，在所述基底表面生长得到所述Bi3O2.5Se2纳米片。本发明提供的制备方法显著提高Bi3O2.5Se2纳米片的均匀性和结晶质量，且有效降低晶畴合并的界面的粗糙度，改善晶畴合并的界面的质量；同时，本发明生长温度低，减少能耗和设备损耗，更适宜工业化应用。
本发明授权一种铋氧硒纳米片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Bi3O2.5Se2纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用化学气相沉积的方法，以Bi2Se3和含有结晶水的KI分别作为前驱体和供氧源形成混合物，将基底置于所述混合物的上方，在通入载气的条件下加热所述混合物进行反应，在所述基底表面生长得到所述Bi3O2.5Se2纳米片。
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