中国科学院长春光学精密机械与物理研究所张志宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种刻蚀深度的后处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105107.0，技术领域涉及：G03F7/40；该发明授权一种刻蚀深度的后处理方法是由张志宇;王晨;徐凯;张学军设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种刻蚀深度的后处理方法在说明书摘要公布了：本申请涉及刻蚀领域，公开了一种刻蚀深度的后处理方法，包括获取基板经过初步刻蚀且去除掩膜后形成的凹槽的深度；判断深度是否大于目标深度；若深度大于目标深度，则从初步刻蚀后的基板的目标表面处去除部分基板，使凹槽的深度等于目标深度；若深度小于目标深度，在基板的目标表面除凹槽以外的区域制作薄膜，薄膜的厚度等于深度与目标深度之间的差值，目标表面为凹槽所在的表面。当刻蚀出的凹槽的深度大于目标深度，去除部分基板，使得凹槽的深度等于目标深度；当凹槽的深度小于目标深度时，在基板上制作薄膜，使得凹槽的深度等于目标深度。所以，该方法可以在凹槽的刻蚀的深度偏大或者偏小后，对凹槽的深度进行调整，使得凹槽深度等于目标深度。
本发明授权一种刻蚀深度的后处理方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀深度的后处理方法，其特征在于，包括： 获取基板经过初步刻蚀且去除掩膜后形成的凹槽的深度； 判断所述深度是否大于目标深度； 若所述深度大于所述目标深度，则从初步刻蚀后的所述基板的目标表面处去除部分所述基板，以使所述凹槽的深度等于所述目标深度； 若所述深度小于所述目标深度，则在所述基板的目标表面除所述凹槽以外的区域制作薄膜，所述薄膜的厚度等于所述深度与所述目标深度之间的差值，所述目标表面为所述凹槽所在的表面。
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