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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894004B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510096871.6，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器结构及其形成方法是由申红杰;何应春;顾林;王虎设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底包括若干有源区以及位于有源区两侧的隔离区；在有源区上依次形成第一子浮栅层以及控制栅介质层；以具有连接开口图案的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀控制栅介质层至暴露出第一子浮栅层表面，形成连接开口；在控制栅介质层上形成控制栅层，且控制栅层填充满连接开口；以具有隔离开口图案的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀控制栅层、控制栅介质层至暴露出第一子浮栅层表面，形成隔离开口、控制栅以及第二子浮栅层，控制栅和第二子浮栅层位于隔离开口两侧。在所述第一子浮栅层基础上增加了第二子浮栅层，增加了浮栅的厚度以及浮栅的刻蚀窗口，避免浮栅过薄导致的穿孔的情况以及电击穿的问题。

本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括若干有源区以及位于有源区两侧的隔离区； 在所述有源区上依次形成第一子浮栅层以及控制栅介质层； 在所述控制栅介质层上形成第一光刻胶层； 对所述第一光刻胶层进行显影曝光，形成具有连接开口图案的第一光刻胶层； 以具有连接开口图案的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述控制栅介质层至暴露出所述第一子浮栅层表面，形成连接开口； 在所述控制栅介质层上形成控制栅层，且所述控制栅层填充满所述连接开口； 在所述控制栅层上形成第二光刻胶层； 对所述第二光刻胶层进行显影曝光，形成具有隔离开口图案的第二光刻胶层； 以具有隔离开口图案的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述控制栅层、控制栅介质层至暴露出所述第一子浮栅层表面，形成隔离开口、控制栅以及第二子浮栅层，所述控制栅和所述第二子浮栅层位于所述隔离开口两侧，且第二子浮栅层，所述控制栅和所述隔离开口邻接，所述第二子浮栅层和所述隔离开口邻接，所述第一子浮栅层和第二子浮栅层构成浮栅。

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