北京超弦存储器研究院;北京大学黄芊芊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;北京大学申请的专利高密度三维铁电存储器结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510068339.3，技术领域涉及：H10B53/20；该发明授权高密度三维铁电存储器结构及其制备方法是由黄芊芊;邓闵月;黄如设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本高密度三维铁电存储器结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了两种高密度三维铁电存储器结构及其制备方法，所述制备方法能够降低三维铁电存储器制备过程中的深孔刻蚀难度，同时又能增加单位存储单元的铁电电容的有效面积。所述高密度三维铁电存储器的核心结构与制备过程包括：通过隔离沟槽将深孔刻蚀形成的导电通孔分割为更小的两个子通孔作为分立的导线，减小了刻蚀时深孔结构的深宽比，从而降低了制备过程中的刻蚀难度；通过在沿垂直于衬底方向延伸的竖直导线上形成凹槽结构，增加导线与铁电材料之间的接触面积，从而增加了存储单元的有效电容面积，确保在工艺节点缩小时可以维持足够的存储窗口。本发明提升了三维铁电存储器的存储密度和可靠性，具有广泛的应用前景。
本发明授权高密度三维铁电存储器结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度三维铁电存储器，包括衬底和位于衬底上方或者下方的存储体，其特征在于，存储体中设置有多列第一导线，第一导线沿着垂直于衬底的方向延伸，第一导线位于导电通孔中；存储体中设置有多列隔离沟槽，隔离沟槽垂直于衬底，且在平行于衬底的截面上沿垂直穿过第一导线的方向延伸，隔离沟槽位于每一列第一导线的列中心线位置，用于分割第一导线；存储体中设置有交替堆叠的隔离层和被铁电材料包围的第二导线层；存储体中设置有垂直于衬底的、贯穿堆叠层的牺牲通孔，隔离材料填充的牺牲通孔即为占位单元位置；其中，第一导线位于第二导线层的部分的平行于衬底方向的水平截面面积小于第一导线位于隔离层的部分的水平截面面积，第一导线在第二导线层呈现半环凹槽的形貌，记为第一半环凹槽；铁电材料在第一半环凹槽的位置与第一导线和第二导线同时接触，即第一导线、铁电材料和第二导线形成半环凹槽形状的MFM结构的存储单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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