安徽安芯电子科技股份有限公司汪良恩获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽安芯电子科技股份有限公司申请的专利降低减薄应力的碳化硅晶圆加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510071521.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权降低减薄应力的碳化硅晶圆加工方法是由汪良恩设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低减薄应力的碳化硅晶圆加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低减薄应力的碳化硅晶圆加工方法，涉及半导体加工技术领域。所述方法包括：将碳化硅晶圆的正面加工完成；在碳化硅晶圆的正面刷UV胶层；将UV胶层表面平坦固化；在固化后的UV胶层贴防护膜；将碳化硅晶圆固定后，对碳化硅晶圆的背面进行研磨减薄。正面刷UV胶层，将正面因加工产生的高台阶差补齐消除，保持UV胶层表面平坦，真空吸附不会让SiC晶圆产生形变，SiC晶圆几乎不存在内应力；研磨过程中，SiC晶圆各处受力均匀，加工后的晶圆背面匀称，SiC晶圆脱离吸附后，不会有多余应力释放，保证减薄后的晶圆不会碎片，提高成品率和合格率。
本发明授权降低减薄应力的碳化硅晶圆加工方法在权利要求书中公布了：1.一种降低减薄应力的碳化硅晶圆加工方法，其特征在于，包括： 将碳化硅晶圆的正面加工完成； 在碳化硅晶圆的正面逐层刷UV胶，逐层平坦化后，形成UV胶层，其中，所述UV胶为UV感光粘性降低型胶，所述UV胶层的厚度为所述碳化硅晶圆正面的台阶高度的n倍，n大于1且小于3； 在固化后的UV胶层贴防护膜，其中，所述防护膜包括基层和胶层，所述胶层与所述基层贴合，所述胶层不含UV感光变性成分，所述胶层粘性大于UV胶感光后的胶界面粘性，所述基层材质为耐酸腐蚀材质； 将碳化硅晶圆固定后，对碳化硅晶圆的背面进行研磨减薄； 对研磨后的碳化硅晶圆背面进行酸腐蚀处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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