理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司汤亮才获国家专利权
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龙图腾网获悉理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利ALD真空镀膜设备与太阳能电池片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223373221U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422318016.9，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型ALD真空镀膜设备与太阳能电池片是由汤亮才;奚明;赵魏;高挺挺;闫允鲁;汤伟昌设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本ALD真空镀膜设备与太阳能电池片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种ALD真空镀膜设备及太阳能电池片。ALD真空镀膜设备包括：腔体，在内部设有加热系统；气路系统，用于提供真空镀膜时所需要的气体；喷淋系统，位于腔体内部的左侧且与气路系统连接，用于对从气路系统提供的气体进行喷淋；匀流板，位于腔体内部的左侧与右侧，用于保证腔体内气流稳定；抽真空系统，位于腔体外部的右侧，用于将腔体抽真空，匀流板的设置位置与喷淋系统相对应，加热系统位于腔体内部的除了左右两侧的其他四个面上。根据本实用新型的ALD真空镀膜设备，具有超大的产能，解决了传统的ALD真空镀膜设备的会存在CVD反应的技术问题，进一步提高了发电效率，降低了成本。
本实用新型ALD真空镀膜设备与太阳能电池片在权利要求书中公布了：1.一种ALD真空镀膜设备，其特征在于，包括： 腔体，在内部设有加热系统； 气路系统，用于提供真空镀膜时所需要的气体； 喷淋系统，位于腔体内部的左侧且与气路系统连接，用于对从气路系统提供的气体进行喷淋； 匀流板，位于腔体内部的左侧与右侧，用于保证腔体内气流稳定； 抽真空系统，位于腔体外部的右侧，用于将腔体抽真空， 匀流板的设置位置与喷淋系统相对应， 加热系统位于腔体内部的除了左右两侧的其他四个面上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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