浙江创芯集成电路有限公司汪沛获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969718B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411046411.4，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的形成方法是由汪沛设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，提供衬底；在衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构包括初始第一掩膜层、位于初始第一掩膜层上的初始第二掩膜层以及位于初始第二掩膜层上的初始第三掩膜层，所述掩膜结构暴露出部分所述衬底表面；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述衬底，在衬底内形成第一凹槽；沿平行于衬底表面的方向去除部分所述初始第二掩膜层形成第二掩膜层，并在相邻初始第一掩膜层和初始第三掩膜层之间形成第二凹槽；去除第二凹槽侧壁的初始第一掩膜层形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出于所述第一凹槽相邻的部分所述衬底表面；在所述第一掩膜层暴露出的衬底表面、第一凹槽侧壁表面和底部表面形成缓冲层。所述形成方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构包括初始第一掩膜层、位于初始第一掩膜层上的初始第二掩膜层以及位于初始第二掩膜层上的初始第三掩膜层，所述掩膜结构暴露出部分所述衬底表面； 以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述衬底，在衬底内形成第一凹槽； 沿平行于衬底表面的方向去除部分所述初始第二掩膜层形成第二掩膜层，并在相邻初始第一掩膜层和初始第三掩膜层之间形成第二凹槽； 去除第二凹槽侧壁的初始第一掩膜层形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出于所述第一凹槽相邻的部分所述衬底表面； 在所述第一掩膜层暴露出的衬底表面、第一凹槽侧壁表面和底部表面形成缓冲层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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