浙江创芯集成电路有限公司李贝贝获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411049270.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李贝贝;陶然;詹侃;汪海设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括P阱区、N阱区；在所述P阱区以及所述N阱区上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述衬底上的部分所述氮化硅层；在所述N阱区上形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜，向所述P阱区的衬底内注入离子，形成N型轻掺杂区，以及N型源漏区；在所述P阱区上形成第三光刻胶层；以所述第三光刻胶层为掩膜，向所述N阱区的衬底内注入离子，形成P型轻掺杂区以及P型源漏区。实现在同一离子注入的条件下，同时形成P型轻掺杂区以及P型源漏区、或N型轻掺杂区以及N型源漏区，减少了光罩层数，简化工艺步骤，降低制程成本。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括P阱区、N阱区以及位于所述P阱区和所述N阱区上的栅极结构； 在所述P阱区、所述N阱区以及所述栅极结构上形成氮化硅层； 在所述氮化硅层上形成具有源漏区图案的第一光刻胶层； 以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述衬底上的部分所述氮化硅层，定义出源漏区； 在所述N阱区上形成第二光刻胶层； 以所述第二光刻胶层为掩膜，向所述P阱区的衬底内注入离子，在所述栅极结构两侧的所述氮化硅层下形成N型轻掺杂区，在所述P阱区内形成N型源漏区； 在所述P阱区上形成第三光刻胶层； 以所述第三光刻胶层为掩膜，向所述N阱区的衬底内注入离子，在所述栅极结构两侧的所述氮化硅层下形成P型轻掺杂区，在所述N阱区内形成P型源漏区。
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