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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411044625.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由何濠启;储金星;刘子俭设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：基体；漂移层；基极层；沟槽；氧化层，快恢复二极管区域中设置有多个第一沟槽，第一沟槽包括第一沟槽部和第二沟槽部，第一沟槽部位于第二沟槽部更加靠近第一主面的一侧，氧化层设置于第二沟槽部的内壁；多晶硅，第二沟槽部内壁的氧化层将第二沟槽部中的多晶硅与基极层隔开，第一沟槽部中的多晶硅与基极层相接触；介质层；发射极金属层，发射极金属层至少部分地穿过介质层与基极层相接触，发射极金属层与多晶硅电连接。由此，载流子可以在第一沟槽部中的多晶硅与基极层之间流动，可以进一步地提高动态雪崩耐量，以及降低反向恢复电流、减少反向恢复时间。

本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 基体，所述基体具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面，所述第一主面和所述第二主面在第一方向上间隔设置； 第一导电类型的漂移层，所述漂移层设置于所述基体且位于第一主面和第二主面之间； 第二导电类型的基极层，所述基极层设置于所述漂移层朝向所述第一主面的一侧，所述基极层的上表面构成所述第一主面的一部分，所述基极层厚度从所述第一主面沿第一方向朝向第二主面延伸设置； 沟槽，所述沟槽厚度方向上从所述第一主面将所述基极层贯穿而到达所述漂移层，所述沟槽的长度方向在所述半导体装置的第二方向上延伸，所述沟槽为多个，多个所述沟槽在所述半导体装置的第三方向上间隔设置，其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直； 氧化层，所述半导体装置具有快恢复二极管区域和绝缘栅双极晶体管区域，所述绝缘栅双极晶体管区域周向环绕设置于所述快恢复二极管区域的外侧，多个所述沟槽包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，所述快恢复二极管区域中设置有多个所述第一沟槽，所述绝缘栅双极晶体管区域中设置有多个所述第二沟槽，所述第一沟槽包括第一沟槽部和第二沟槽部，所述第一沟槽部位于所述第二沟槽部更加靠近所述第一主面的一侧，所述氧化层设置于所述第二沟槽部的内壁； 第一导电类型的多晶硅，所述多晶硅设置于所述第一沟槽内，所述第二沟槽部内壁的所述氧化层将所述第二沟槽部中的所述多晶硅与所述基极层隔开，所述第一沟槽部中的所述多晶硅与所述基极层相接触； 介质层，所述介质层设置于所述第一主面； 发射极金属层，所述发射极金属层设置于所述介质层远离所述第一主面的一侧，所述发射极金属层至少部分地穿过所述介质层与所述基极层相接触，所述发射极金属层与所述多晶硅电连接； 所述第一沟槽部第三方向的宽度大于所述第二沟槽部第三方向的宽度。

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