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龙图腾网获悉北京大学申请的专利基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410743692.2，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法是由杨玉超;杨振;路英明;陶耀宇;张腾;黄如设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法，包括构建以电化学随机存取存储器及其栅极选通晶体管为基本单元的存储器阵列，以及相应的随机脉冲更新方法。其中，电化学随机存取存储器的电导变化与刺激脉冲数目成高度线性关系，在不施加刺激脉冲的时候，器件沟道电导保持不变，呈现非易失特性。通过随机脉冲编程，可以原位进行器件的电导更新和在线训练，并行完成向量外积计算，并将计算结果存储在器件的电导中，进行后续的网络存内计算加速，避免了额外的数据搬运，有效降低了操作复杂度和器件编程延迟。除此之外，该方案可以扩展到和赫布学习规则相关的网络训练范式中，加速相关算法的训练过程。

本发明授权基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法在权利要求书中公布了：1.一种全并行向量外积计算操作方法，基于由电化学随机存取存储器及其栅极选通晶体管构成的存储器阵列实现，其特征在于，所述存储器阵列的基本单元是由一个电化学随机存取存储器及其栅极选通晶体管构成的1T1E单元，其中，所述电化学随机存取存储器为三端存储器件，其栅极与所述栅极选通晶体管的源极相连；所述栅极选通晶体管的漏极和栅极分别作为随机脉冲信号输入的EG端和TG端；施加在EG端和TG端的信号分别记为VEG和VTG，其中VEG负责对电化学随机存取存储器进行编程，包括对沟道电导的增强型和抑制型编程；VTG负责对栅极选通晶体管进行选通，对于增强型和抑制型编程的VEG，开启和关闭栅极选通晶体管的VTG的幅值有所差异；只有栅极选通晶体管开启的时候，VEG才会对电化学随机存取存储器的沟道电导产生编程作用，否则电化学随机存取存储器的沟道电导将保持不变；所述存储器阵列中，每一行1T1E单元的电化学随机存取存储器的漏极连接在一起并连接到位线选择器，每一行1T1E单元的EG端连接在一起；每一列的1T1E单元的电化学随机存取存储器的源极连接在一起，每一列1T1E单元的TG端连接在一起； 利用所述存储器阵列通过如下操作实现全并行向量外积计算： 1对两个输入向量分别进行归一化处理，使其各个元素值处于-1和1之间，然后将其量化成有限个状态值； 2将归一化以及量化后的向量转换为相应数值概率的随机脉冲序列，该随机脉冲序列中逻辑“1”代表施加刺激信号的幅值非零，逻辑“0”代表施加刺激信号的幅值为零，相应数值概率指的是逻辑“1”占整个脉冲序列的比例； 3将步骤2的两个随机脉冲序列，分别施加在所述存储器阵列的EG端和TG端，将不同维度的向量和阵列维度进行相互匹配，阵列中电化学随机存取存储器的电导变化量对应于向量中相应位置元素的乘积结果，二者呈现正比关系； 由此，通过随机脉冲编程，基于所述存储器阵列并行完成向量外积计算，并且将最终结果存储在所述存储器阵列中。

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