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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种极化结和双阳极结构的肖特基二极管及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410484526.5，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种极化结和双阳极结构的肖特基二极管及制备方法和应用是由李述体;石宇豪;李国新;陈坤;高芳亮设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极化结和双阳极结构的肖特基二极管及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种极化结和双阳极结构的肖特基二极管及制备方法和应用，其包括衬底、外延层和电极，外延层包括依次层叠的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和极化结，极化结由轻掺杂p‑GaN层和重掺杂p‑GaN层组成，极化结的表面设置有欧姆阳极，外延层的两侧设置有阳极凹槽和阴极凹槽，凹槽沿极化结的表面延伸至AlGaN势垒层中一定深度，低功函数肖特基阳极和高功函数肖特基阳极设置于阳极凹槽中，欧姆阴极设置于阴极凹槽中，本发明结合了极化结结构和双阳极结构，使得器件的正向特性和反向特性取得了很好的平衡，器件内部的电场得以重新分布，击穿电压提高，开启电压和导通电阻降低，并且抑制了漏电流。

本发明授权一种极化结和双阳极结构的肖特基二极管及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种极化结和双阳极结构的肖特基二极管，其特征在于，包括设置于衬底上的外延层以及电极； 所述外延层包括依次层叠的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和极化结；所述极化结由轻掺杂p-GaN层和重掺杂p-GaN层层叠而成，所述轻掺杂p-GaN层与所述AlGaN势垒层接触，所述外延层的两侧设置有阳极凹槽和阴极凹槽，所述凹槽沿外延层的表面延伸至AlGaN势垒层中一定深度； 所述电极包括低功函数肖特基阳极、高功函数肖特基阳极、欧姆阳极和欧姆阴极，所述低功函数肖特基阳极和所述高功函数肖特基阳极设置于所述阳极凹槽中，与所述AlGaN势垒层接触，所述欧姆阳极位于所述极化结上，所述高功函数肖特基阳极覆盖所述低功函数肖特基阳极，并延伸至所述欧姆阳极的表面；所述欧姆阴极设置于所述阴极凹槽中，与所述AlGaN势垒层接触，所述高功函数肖特基阳极及所述欧姆阳极与所述欧姆阴极之间设置有钝化层，所述钝化层还位于所述极化结与所述欧姆阴极之间； 其中，所述低功函数肖特基阳极和所述势垒层接触的面积与所述低功函数肖特基阳极、所述高功函数肖特基阳极和所述势垒层接触的总面积之比在0.2至0.8之间。

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