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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利光器件性能提高方法、半导体光器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118248800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410334756.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权光器件性能提高方法、半导体光器件及电子设备是由王巧;杨海铭;陈子豪;许平;林丹设计研发完成，并于2024-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本光器件性能提高方法、半导体光器件及电子设备在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供一种光器件性能提高方法、半导体光器件及电子设备，涉及半导体光电技术领域。本发明通过构建量子阱的外加电场强度与量子阱所在材料面的极化总强度的对应关系，依据量子阱的自身参数确定第一化合物的自发极化强度、第二化合物的弯曲参数以及量子阱所在材料面的压电极化强度。然后依据压电极化强度与极化总强度确定量子阱所在材料面的自发极化总强度。最后依据自发极化总强度、第一化合物的自发极化强度以及第二化合物的弯曲参数确定量子阱的各材料组分，以使量子阱的极化静电场强度与外加电场强度方向相反且数值相同。本发明具有提高AlGaN基半导体紫外器件的量子效率和发光效率的优点。

本发明授权光器件性能提高方法、半导体光器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光器件性能提高方法，其特征在于，所述光器件包括发光有源区；所述发光有源区包括多个量子垒和多个量子阱，所述量子垒或量子阱由三族元素与其余元素组成；所述光器件性能提高方法包括以下步骤： 获取所述量子阱的外加电场强度与自身参数；其中，所述自身参数包括厚度参数与材料参数；所述材料参数包括量子阱中材料加权压电系数、材料加权弹性系数以及发光有源区所在平面的应变； 依据所述材料参数确定所述量子阱中第一化合物与第二化合物，并确定所述第一化合物的自发极化强度和所述第二化合物的弯曲参数；其中，所述第一化合物为所述三族元素与其余任一元素构成的化合物；所述第二化合物为所述三族元素与其余任意两种元素构成的化合物； 依据所述外加电场强度与所述厚度参数确定所述量子阱所在材料面的极化总强度； 依据所述材料参数确定所述量子阱所在材料面的压电极化强度；并依据所述压电极化强度与所述极化总强度确定所述量子阱所在材料面的自发极化总强度； 依据所述自发极化总强度、所述第一化合物的自发极化强度以及所述第二化合物的弯曲参数确定所述量子阱的各材料组分，以使所述量子阱的极化静电场强度与所述外加电场强度方向相反且数值相同。

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