买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410116524.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法是由袁俊;成志杰;郭飞;王宽;吴阳阳;陈伟设计研发完成，并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法，上述结构包括衬底、外延层、第一P+掩蔽层、第二P+掩蔽层、第一源极P+区和第二源极P+区；外延层生长在衬底上；第一源极P+区、第一P+掩蔽层、第二源极P+区和第二P+掩蔽层沿水平方向依次间隔制作于外延层中；在第一源极P+区与第一P+掩蔽层、和或第二源极P+区和第二P+掩蔽层、和或第一P+掩蔽层与第二源极P+区之间制作P‑Bus区，以实现P+掩蔽层与源极P+区之间的电连接。该结构不仅可以极大的提高了器件的导通特性，而且可以改善器件在比导通电阻和栅氧可靠性之间的折中关系。

本发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，包括：衬底、外延层、第一P+掩蔽层、第二P+掩蔽层、第一源极P+区和第二源极P+区； 所述外延层生长在所述衬底上；所述第一源极P+区、所述第一P+掩蔽层、所述第二源极P+区和所述第二P+掩蔽层沿水平方向依次间隔制作于所述外延层中； 在所述第一源极P+区与所述第一P+掩蔽层、和或所述第二源极P+区和所述第二P+掩蔽层、和或所述第一P+掩蔽层与所述第二源极P+区之间制作P-Bus区，以实现P+掩蔽层与源极P+区之间的电连接； 所述外延层上自下至上依次制作有P阱区、源极N+区、源极欧姆接触区和源电极； 所述外延层包括依次层叠制作在所述衬底上的第一外延层和第二外延层； 所述第一源极P+区和所述第二源极P+区位于所述第一外延层和所述第二外延层中，所述第一P+掩蔽层和所述第二P+掩蔽层位于所述第一外延层中； 所述第一P+掩蔽层和所述第二P+掩蔽层分别包裹设有栅极沟槽； 所述栅极沟槽贯穿设于所述源极N+区、所述P阱区、所述第二外延层和部分所述第一外延层； 所述栅极沟槽的内壁侧设有栅极介质层，所述栅极沟槽内填充有栅极多晶硅； 所述栅极多晶硅通过所述栅极沟槽顶部的层间介质层与所述源电极接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。