中国电子科技集团公司第四十三研究所吕洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十三研究所申请的专利一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117865663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410064079.8，技术领域涉及：C04B35/16；该发明授权一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带是由吕洋;兰耀海;王明明;魏启鹏;王飞;马涛设计研发完成，并于2024-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带，所述低介低损耗LTCC材料由陶瓷填充相和玻璃低烧助剂混合制备而成，其中，所述陶瓷填充相为镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷LaBSiO5，所述玻璃低烧助剂为La2O3‑B2O3玻璃。本发明低介低损耗LTCC材料以具有低介低损耗特性且烧结温度较低＜1200℃的镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷为陶瓷填充相，以La2O3‑B2O3玻璃为玻璃低烧助剂，降低了陶瓷玻璃体系的损耗，降低了低介低损耗LTCC材料的烧结温度，使得LaBSiO5系材料能够在低于900℃的温度范围内烧结，且具有优异的微波介电性能，使得采用LTCC生瓷带制备成的LTCC基板材料具有较低的介电常数和介电损耗。
本发明授权一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带在权利要求书中公布了：1.一种低介低损耗LTCC材料，其特征在于，其由陶瓷填充相和玻璃低烧助剂混合制备而成，其中，所述陶瓷填充相为镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷LaBSiO5，所述玻璃低烧助剂为La2O3-B2O3玻璃，所述La2O3-B2O3玻璃的主要组分为20~30wt%La2O3、65~80wt%B2O3。
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