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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利解决单面研削凹坑的治具及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117325026B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311407411.8，技术领域涉及：B24B7/22；该发明授权解决单面研削凹坑的治具及其控制方法是由周楠;楼刚刚;贾俊;于洋;吴闯设计研发完成，并于2023-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本解决单面研削凹坑的治具及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种解决单面研削凹坑的治具及其控制方法，所属硅片加工技术领域，包括研削治具，所述的研削治具下端设有与研削治具相连通的真空泵，所述的真空泵与研削治具间设有真空吸附管，所述的真空吸附管与研削治具间设有真空连接接头座。所述的研削治具包括治具安装法兰盘，所述的治具安装法兰盘内设有真空腔，所述的真空腔上设有与真空吸附管相连通的真空排气孔，所述的治具安装法兰盘与真空腔间设有硅片定位槽，所述的硅片定位槽上设有与硅片定位槽相卡槽式嵌套连接的内橡胶圈。具有结构简单、操作便捷和稳定性好的特点。解决了硅片加工工程中产生凹坑和划伤的不良问题。提升了加工过程中的良率，同时减低了生产成本。

本发明授权解决单面研削凹坑的治具及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种解决单面研削凹坑的治具的控制方法，其特征在于：所述的解决单面研削凹坑的治具包括研削治具（1），所述的研削治具（1）下端设有与研削治具（1）相连通的真空泵（5），所述的真空泵（5）与研削治具（1）间设有真空吸附管（3），所述的真空吸附管（3）上设有与真空吸附管（3）相连通的减压阀（4），所述的真空吸附管（3）与研削治具（1）间设有真空连接接头座（2）；所述的研削治具（1）包括治具安装法兰盘（7），所述的治具安装法兰盘（7）内设有真空腔（12），所述的真空腔（12）上设有与真空吸附管（3）相连通的真空排气孔（13），所述的治具安装法兰盘（7）与真空腔（12）间设有硅片定位槽（9），所述的硅片定位槽（9）上设有与硅片定位槽（9）相卡槽式嵌套连接的内橡胶圈（10）； 所述的内橡胶圈（10）与治具安装法兰盘（7）间设有与硅片定位槽（9）相卡槽式嵌套连接的外橡胶圈（11），所述的内橡胶圈（10）与外橡胶圈（11）间设有若干脱料气孔（8），所述的硅片定位槽（9）下端设有若干与脱料气孔（8）相连通的出料进气管（6）； 控制方法包括如下操作步骤： 第一步：用空压枪将研削治具（1）的上端面吹干净； 第二步：在硅片定位槽（9）上放置内橡胶圈（10）和外橡胶圈（11）； 第三步：将待研削的硅片放置到硅片定位槽（9）内，此时出料进气管（6）不进气； 第四步：真空泵（5）运行，通过真空连接接头座（2）与真空吸附管（3）连接的真空排气孔（13）将真空腔（12）内的空气抽出并形成真空负压将硅片吸附在硅片定位槽（9）上；通过减压阀（4）将真空泵（5）施加的-89Kpa压力值，缩小到-60Kpa压力值； 第五步：对硅片进行单面研削，完成单面研削过程后，真空泵（5）停止运行，真空腔（12）内负压消除，接着出料进气管（6）进气，通过脱料气孔（8）将硅片顶出。

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