安徽奥飞声学科技有限公司夏永禄获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽奥飞声学科技有限公司申请的专利MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116828375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310986306.8，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风是由夏永禄;刘端设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风。该MEMS结构，包括：衬底，包括：外围的衬底外环体；形成于衬底外环体内侧的衬底背腔；振动支撑层，形成于衬底外环体和衬底背腔的上方；压电复合层，包括：下电极层、压电层、上电极层，三者依次形成于振动支撑层上方，且压电层的水平面投影位于衬底背腔的水平面投影的中间区域；其中，在水平方向上，振动支撑层包括：连接稳定区和振动加强区，连接稳定区为对应压电层边缘位置的区域；振动加强区为远离压电层边缘位置的区域；连接稳定区呈环形向下方凸出，其厚度H1大于振动加强区的厚度H2。本发明在兼顾MEMS结构可靠性的同时，提升了器件的灵敏性。
本发明授权MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风在权利要求书中公布了：1.一种MEMS结构，其特征在于，包括： 衬底，包括：外围的衬底外环体；形成于所述衬底外环体内侧的衬底背腔； 振动支撑层，形成于所述衬底外环体和衬底背腔的上方； 压电复合层，包括：下电极层、压电层、上电极层，三者依次形成于所述振动支撑层上方，且压电层的水平面投影位于衬底背腔的水平面投影的中间区域； 其中，在水平方向上，所述振动支撑层包括：连接稳定区和振动加强区，所述连接稳定区为对应压电层边缘位置的振动支撑层区域；所述振动加强区为远离压电层边缘位置的振动支撑层区域； 其中，在远离衬底背腔一侧，所述振动支撑层整体呈平面；在靠近衬底背腔的一侧，所述连接稳定区呈环形向下方凸出，其厚度H1大于所述振动加强区的厚度H2。
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