冯·阿登纳资产股份有限公司埃瑞克·赛德罗彻获国家专利权
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龙图腾网获悉冯·阿登纳资产股份有限公司申请的专利真空系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223379523U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202390000222.6，技术领域涉及：H10F10/166；该实用新型真空系统是由埃瑞克·赛德罗彻;沃尔克·林斯;延斯·鲍曼;蒂娜·迪特施设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空系统在说明书摘要公布了：一种真空系统，包括一个或更多个真空室，涂层区域设置在所述一个或更多个真空室中；溅射装置，所述溅射装置具有用于储存一个或更多个溅射靶材404的储存装置并适于将所述溅射靶材404溅射到涂层区域中；其中溅射靶材404包括半导体材料；其中溅射靶材404进一步包括半导体材料的掺杂剂，掺杂剂的含量大于掺杂剂在半导体材料中的溶解度极限和或0.15％的掺杂剂的质量分数；在将溅射靶材404雾化到涂层区域401中时，将插入基底载体中的太阳能电池前驱体402设置305在涂层区域401中，使得该面面向溅射靶材404；其中，基底载体被配置成使得太阳能电池前驱体402的沿自含路径延伸的边缘510k，512k由基底载体遮挡住关于溅射靶材404的雾化。
本实用新型真空系统在权利要求书中公布了：1.一种真空系统，包括 -一个或更多个真空室，涂层区域设置在所述一个或更多个真空室中； -溅射装置，所述溅射装置具有用于储存一个或更多个溅射靶材404的储存装置并适于将所述溅射靶材404溅射到涂层区域中； -其中所述溅射靶材404包括半导体材料，所述溅射靶材404还包括所述半导体材料的掺杂剂，所述掺杂剂的含量大于所述掺杂剂的材料含量分数0.15at％； -输送系统，所述输送系统具有基底载体并被配置成输送太阳能电池前驱体402，当发生将所述溅射靶材404溅射到所述涂层区域401中时，插入所述基底载体中的所述太阳能电池前驱体402设置在所述涂层区域401中； -其中所述基底载体被配置的方式为使得所述太阳能电池前驱体402的沿闭合路径延伸的边缘510k，512k通过所述基底载体遮挡住关于所述溅射靶材404的溅射。
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