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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310164910.2，技术领域涉及：H10K30/30；该发明授权基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法是由王洋;李凌峰;吴佳澳;刘青霞;袁柳;顾德恩;黎威志;太惠玲;蒋亚东设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法，包括透明基底层和五层材料结构，五层材料结构包括透明底电极层、第一阻挡层、有机光敏层、第二阻挡层和顶电极层；正向偏压下，阻挡层与光敏层界面处的载流子陷阱引发外电路载流子隧穿注入，器件以PM模式工作，外量子效率高，适用于弱光探测，可避免前置放大电路的使用。反向偏压下，光敏层两侧的阻挡层可阻止外电路载流子的注入，器件以PV模式工作，外量子效率有限，适用于强光探测，可避免高功耗造成的器件散热和击穿等问题。本发明提出了一种通过调控阻挡层界面来制备双模器件的方法，优化了双模器件的光电性能，从而为双模有机光电二极管的制备提供了解决方案。

本发明授权基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管，其特征在于：包括底部的透明基底（1）、透明基底（1）上方的五层材料结构，五层材料结构包括：透明底电极层（2）、第一阻挡层（3）、有机光敏层（4）、第二阻挡层（5）、顶电极层（6）； 其中，透明底电极层（2）覆盖透明基底（1）的半个上表面，透明底电极层（2）的上表面以及未被透明底电极层（2）覆盖的透明基底（1）上表面被第一阻挡层（3）覆盖，第一阻挡层（3）上方依次为有机光敏层（4）、第二阻挡层（5）、顶电极层（6）； 第一阻挡层（3）和或第二阻挡层（5），与有机光敏层（4）的界面处具有用于堆积载流子的载流子陷阱；在正向偏压下，第一阻挡层（3）和或第二阻挡层（5）与有机光敏层（4）界面处的载流子陷阱引发外电路载流子隧穿注入，使所述基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管以光电倍增模式工作；在反向偏压下，有机光敏层（4）上下两侧的第一阻挡层（3）和第二阻挡层（5）阻止外电路载流子的注入，使所述基于阻挡层界面调控的双模有机光电二极管以光伏模式工作。

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