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龙图腾网获悉海纳半导体(山西)有限公司申请的专利一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116277546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310162438.9，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法是由潘金平;肖世豪;沈益军;饶伟星;张立安;程富荣;冯小娟;赵亮;苏文霞;肖银平设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及籽晶加工技术领域，具体为一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法，包括如下步骤：S1、将111硅单晶棒切割取段，外表面进行外圆磨削加工成圆柱形结构的111晶向硅单晶锭；S2、对111晶向硅单晶锭的侧面进行X射线定向，确定110晶向位置，并在硅单晶锭的端面划线作为标记；S3、使110晶向朝上，将111晶向硅单晶锭水平放置在专用架子上，专用架子包括框架、托架、螺栓和调节螺母，将专用架子放到一个专用的水平平台上。该以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法中，可以使用111晶向硅单晶棒作为原料进行籽晶加工；利用X射线定向仪便于寻找111晶向硅单晶锭的110晶向位置，并利用专用架子精确地加工出110晶面，再利用可调平板校准110晶向偏离度，通过特定的籽晶加工工艺，得到指定晶向且偏差小的高强度籽晶。

本发明授权一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法，其特征在于：包括如下步骤： S1、将[111]晶向硅单晶棒切割取段，外表面进行外圆磨削加工成圆柱形结构的[111]晶向硅单晶锭（1）； S2、对[111]晶向硅单晶锭（1）的侧面进行X射线定向，确定[110]晶向位置，并在硅单晶锭的端面划线（12）作为标记； S3、使[110]晶向朝上，将[111]晶向硅单晶锭（1）水平放置在专用架子（4）上，所述专用架子（4）包括框架（41）、托架（42）、螺栓（43）和调节螺母（44），将专用架子（4）放到一个专用的水平平台上，在水平平台上放置一把直尺，使一直尺边靠近划线（12），旋转[111]晶向硅单晶锭（1），使直尺边与划线（12）重合，从而达到使划线（12）垂直目的，即[110]晶向垂直向上； S4、在水平平台上放置一个万向磁座百分表，测量头接触[111]晶向硅单晶锭（1）一端后，固定百分表高度，再将测量头移至[111]晶向硅单晶锭（1）的另一端，以此确定[111]晶向硅单晶锭（1）的水平程度，用内六角插入调节螺母（44）上的孔，通过旋转调节螺母（44）带动螺栓（43）和托架（42）来调节[111]晶向硅单晶锭（1）的两端高低，最终在水平平台上调整[111]晶向硅单晶锭（1）到水平状态； S5、将[111]晶向硅单晶锭（1）连同架子一起置于磨削机上进行磨削，将顶部磨削出一个平面即110晶面（13）； S6、重复步骤S3至S5，用同样的方法在[111]晶向硅单晶锭（1）的底部加工出一个平行晶面（14），底部的平行晶面（14）作为后续加工的固定面，通过磨削将[111]晶向硅单晶锭（1）加工成具备上下两个平面的结构； S7、将一块与平行晶面（14）大小相当的平整石墨块粘接在水平可调的平板上，再将[111]晶向硅单晶锭（1）水平粘接在石墨块上，底部的平行晶面（14）作为粘接面，用于将[111]晶向硅单晶锭（1）固定； S8、粘接之后，110晶面（13）的水平需要调整，将平板连[111]晶向硅单晶锭（1）放置在晶向校准装置上，上部的110晶面（13）朝上，利用X射线定向仪测量上部的110晶面（13）的晶向，同时利用可调平板校准，直至110晶面（13）是水平的； S9、将平板连[111]晶向硅单晶锭（1）放置在钻床上，上部的110晶面（13）朝上，使用高速旋转的籽晶套筒（5）以一定的进刀速度由上而下竖直钻取籽晶，得到晶向为[110]的籽晶半成品； S10、将钻取的籽晶浸在恒温水浴中进行脱胶处理，去除胶水和石墨块，再在一定体积比的混酸溶液中进行酸腐蚀，去除表面损伤层、提高强度，最后经超纯水超声清洗得到晶向为[110]的籽晶成品。

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