福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310108494.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由张钦福设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括衬底，设置在所述衬底上的多条位线，多条位线沿着第一方向延伸通过衬底的周边区和存储区并且沿着第二方向平行排列。多个绝缘插塞以及多个第一间隔物交替设置在周边区的位线之间。还包括：交替设置在存储区的位线之间的多个导电插塞以及多个第二间隔物。第一间隔物和第二间隔物包括相同材料，且第二间隔物的宽度小于第一间隔物的宽度，如此可获得尺寸较大的导电插塞以降低电阻，同时确保导电插塞之间的电性隔离。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一衬底，包括一周边区以及一存储区； 隔离结构，位于所述衬底内； 多条位线，设置在所述衬底上，多条所述位线沿着一第一方向延伸通过所述周边区和所述存储区并且沿着一第二方向平行排列，所述第一方向与所述第二方向垂直； 多个绝缘插塞以及多个第一间隔物，沿着所述第一方向交替设置在所述周边区的所述位线之间；以及 多个导电插塞以及多个第二间隔物，沿着所述第一方向交替设置在所述存储区的所述位线之间，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物包括相同材料，且沿着所述第一方向，所述第二间隔物的一宽度小于所述第一间隔物的一宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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