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龙图腾网获悉上海高性能集成电路设计中心申请的专利一种存内计算单元及阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116149457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310048853.1，技术领域涉及：G06F1/3234；该发明授权一种存内计算单元及阵列是由刘建文;赵信;方华;张立;童仙雨设计研发完成，并于2023-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存内计算单元及阵列在说明书摘要公布了：本发明涉及一种存内计算单元和阵列，其中，存内单元包括单端口SRAM和计算部分，单端口SRAM用于存储权重，计算部分用于进行乘法运算，包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管；单端口SRAM的存储节点分别与第九MOS管的栅极和第十二MOS管的栅极相连；第九MOS管的漏极分别与第七MOS管的源极和第八MOS管的源极相连，第十二MOS管的漏极分别与第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极相连；第九MOS管的源极和第十二MOS管的源极均接地；第七MOS管、第八MOS管、第十MOS管和第十一MOS管的栅极分别与第一输入端、第二输入端、第三输入端和第四输入端相连，漏极分别与第一输出端、第二输出端、第三输出端和第四输出端相连。本发明能够进行高速低功耗的卷积计算。

本发明授权一种存内计算单元及阵列在权利要求书中公布了：1.一种存内计算单元，其特征在于，包括单端口SRAM和计算部分，所述单端口SRAM用于存储权重，所述计算部分用于进行乘法运算，包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和第十二MOS管；所述单端口SRAM的存储节点分别与所述第九MOS管的栅极和第十二MOS管的栅极相连；所述第九MOS管的漏极分别与所述第七MOS管的源极和第八MOS管的源极相连，所述第十二MOS管的漏极分别与所述第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极相连；所述第九MOS管的源极和第十二MOS管的源极均接地；所述第七MOS管的栅极与第一输入端相连，漏极与第一输出端相连；所述第八MOS管的栅极与第二输入端相连，漏极与第二输出端相连；所述第十MOS管的栅极与第三输入端相连，漏极与第三输出端相连；所述第十一MOS管的栅极与第四输入端相连，漏极与第四输出端相连。

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