武汉材料保护研究所有限公司吴勇获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉材料保护研究所有限公司申请的专利一种用于制备零部件内孔表面涂层的CVD装置及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115976498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310035194.8,技术领域涉及:C23C16/52;该发明授权一种用于制备零部件内孔表面涂层的CVD装置及制备方法是由吴勇;孙清云;夏思瑶;杨甫;夏春怀;杜建融;陈辉;陶冠羽;曾路设计研发完成,并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于制备零部件内孔表面涂层的CVD装置及制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种用于制备零部件内孔表面涂层的CVD装置及制备方法。CVD装置为在现有设备基础上增加控制器和设于沉积反应室顶部出口的流量调节阀,通过控制器控制流量调节阀来实现化学气相沉积过程中反应气体压力和流量脉冲交变,实现限域空间内腔表面气流均匀性控制,在细长孔零部件内腔表面制备连续且均匀的CVD涂层。利用反应气流脉冲交变输运确保零部件内腔表面整体涂层沉积扩散生长过程的均匀性,此方法有效解决了传统化学沉积在细长孔内腔表面沉积涂层的不均匀性的问题。
本发明授权一种用于制备零部件内孔表面涂层的CVD装置及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种用于制备零部件内孔表面涂层的方法,采用的CVD装置,包括依次相连的原料气供给系统、沉积反应室、真空泵、废气处理系统、控制器和流量调节阀; 原料气供给系统与沉积反应室底部入口相连,用于供给反应所需原料气,所述真空泵与沉积反应室顶部出口相连,用于抽真空及控制反应压力; 所述废气处理系统,连接真空泵的出口,用于收集处理尾气; 所述沉积反应室设有加热系统和用于放置零件分布气流的布气板; 所述流量调节阀设置于所述废气处理系统与沉积反应室顶部出口之间,所述控制器通过流量调节阀的开度控制来使得沉积反应室内产生交变反应压力场;其特征在于:所述方法包括以下步骤: 步骤1、放置样品:将清洗好的待沉积零部件用夹具固定在沉积反应室内布气板上方,调整待涂覆零部件位置使其内孔流道位于布气孔正上方; 步骤2、抽真空:通过真空泵将所述沉积反应室抽真空; 步骤3、通入气体调压:通过原料气供给系统往沉积反应室内通入工艺气体,通过气体流量计控制工艺气体流量保证沉积反应室的入口维持在高压状态,同时开启真空泵抽气,通过控制器控制流量调节阀开度来调节沉积压力为沉积工艺所需的压力脉冲波,从而使得工艺气体在零部件内孔形成快速压差流动; 步骤4、沉积:通过加热系统设定加热温度,对零部件和沉积腔室进行加热,待升温到设定温,开始沉积;沉积结束后依次关闭工艺气体,停止加热系统,抽真空,待沉积反应室冷却至室温取出沉积好的零部件; 步骤3中,沉积压力控制范围为3-50KPa,压力变化幅度为正负10-50%。
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