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龙图腾网获悉武汉理工大学青岛研究院申请的专利一种均质稳定纳米金属细胞培养界面及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116117603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310033804.0，技术领域涉及：B24B1/04；该发明授权一种均质稳定纳米金属细胞培养界面及其制备方法是由尹飞;易于煊设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种均质稳定纳米金属细胞培养界面及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种均质稳定纳米金属细胞培养界面的制备方法，包括以下步骤：S1、确定金属材料；S2、利用高频超声波信号和脉冲电流对所述金属材料进行低塑性微动对磨抛光，使得金属材料表面形成纳米结构层；S3、对表面形成纳米结构层的所述金属材料进行磨制，分离得到纳米结构层，即为所述纳米金属细胞培养界面。本发明通过耦合超频滚压与大电流处理及无损表面提取技术，不但工艺成本低，减少浪费，而且使用金属材料替代某些有毒化学试剂，构造了一种结构均质稳定的具有“网状”纳米结构的细胞基质界面，这种界面结构能有效改善细胞体外繁殖的效率，增强细胞的综合生物功能。

本发明授权一种均质稳定纳米金属细胞培养界面及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种均质稳定纳米金属细胞培养界面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、确定金属材料； S2、利用高频超声波信号和脉冲电流对所述金属材料进行低塑性微动对磨抛光，使得金属材料表面形成纳米结构层； S3、对表面形成纳米结构层的所述金属材料进行磨制，分离得到纳米结构层，即为所述纳米金属细胞培养界面； 步骤S1所述金属材料为316L不锈钢板； 步骤S2利用点焊电脉冲发生装置产生所述脉冲电流，所述点焊电脉冲发生装置的单个脉冲电流峰值大小，满足以下公式： 式中，Ip是通过金属材料的电流，A是材料的横截面积，ρ是材料密度，c是比热容，σ是电阻率，是加热速率； 步骤S3利用自动磨制机自下而上对表面形成纳米结构层的所述金属材料进行磨制； 步骤S3中磨制时间的确定方法为：由金属材料的原始厚度D减去磨损厚度DL得到剩余厚度DR，当剩余厚度DR＜100μm时停止研磨；或当摩擦系数稳定提升至0.35＜μ＜0.4范围时停止研磨； 根据金属材料的磨损体积Vw和磨损表面积Se得到所述磨损厚度DL，其中所述金属材料的磨损体积和磨损表面积分别由如下公式计算得到： 式中，Vw是磨损体积（mm3）；Se是磨损表面积（mm2）；R和r分别是磨损轨迹和对磨球销的半径；c、c′分别是磨损轨迹的宽度和长度。

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