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龙图腾网获悉佛山市南海赛威科技技术有限公司申请的专利自举开关及其采样电路、采样控制方法以及数据转换系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116938216B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211735509.1，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权自举开关及其采样电路、采样控制方法以及数据转换系统是由刘弘;职春星;陈啟炜设计研发完成，并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本自举开关及其采样电路、采样控制方法以及数据转换系统在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种自举开关采样电路及采样控制方法、自举开关及数据转换系统，所述自举开关采样电路包括：第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2、第三P型MOS管PM3、第四P型MOS管PM4、第五P型MOS管PM5、第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3、第四N型MOS管NM4、第五N型MOS管NM5、第六N型MOS管NM6、第七N型MOS管NM7、第八N型MOS管NM8及电容Cs。本发明提出的自举开关采样电路及采样控制方法、自举开关及数据转换系统，可实现采样电阻在设定恒定值，同时保证正负端馈通到采样电容上的电荷相当；本发明可提高数据转换的精确度。

本发明授权自举开关及其采样电路、采样控制方法以及数据转换系统在权利要求书中公布了：1.一种自举开关采样电路，其特征在于，所述自举开关采样电路包括：第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2、第三P型MOS管PM3、第四P型MOS管PM4、第五P型MOS管PM5、第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3、第四N型MOS管NM4、第五N型MOS管NM5、第六N型MOS管NM6、第七N型MOS管NM7、第八N型MOS管NM8及电容Cs； 所述第一P型MOS管PM1的栅极分别连接Clk信号、第二N型MOS管NM2的栅极，所述第一P型MOS管PM1的源极分别连接VDD信号、第二P型MOS管PM2的源极；所述第一P型MOS管PM1的漏极分别连接第二N型MOS管NM2的漏极、第三P型MOS管PM3的栅极、第三N型MOS管NM3的漏极、第五P型MOS管PM5的栅极； 所述第二P型MOS管PM2的漏极分别连接第三P型MOS管PM3的漏极、电容Cs的第一端；所述第二P型MOS管PM2的栅极分别连接第三N型MOS管NM3的栅极、第四P型MOS管PM4的栅极、第五P型MOS管PM5的漏极、第四N型MOS管NM4的栅极、第七N型MOS管NM7的漏极； 所述第三P型MOS管PM3的源极分别连接第一N型MOS管NM1的源极、第四P型MOS管PM4的漏极、第五P型MOS管PM5的源极、第五N型MOS管NM5的栅极； 所述第四P型MOS管PM4的源极分别连接Sig_in信号、所述第一N型MOS管NM1的漏极；第一N型MOS管NM1的栅极连接Clkb信号； 所述第二N型MOS管NM2的源极分别连接电容Cs的第二端、第三N型MOS管NM3的源极、第四N型MOS管NM4的源极、第六N型MOS管NM6的漏极； 所述第四N型MOS管NM4的漏极分别连接Sig_in信号、所述第五N型MOS管NM5的源极；所述第五N型MOS管NM5的漏极连接Sig_out信号； 所述第六N型MOS管NM6的栅极连接Clkb信号，所述第六N型MOS管NM6的源极接地； 所述第七N型MOS管NM7的栅极连接电源电压VDD，所述第七N型MOS管NM7的源极连接第八N型MOS管NM8的漏极；所述第八N型MOS管NM8的栅极连接Clkb信号，第八N型MOS管NM8的源极接地。

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