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龙图腾网获悉上海芯导电子科技股份有限公司申请的专利SGT mosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211711010.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权SGT mosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法是由李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;王莹;庞亚楠设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本SGT mosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SGTmosfet器件的制备方法，包括：形成衬底、第一外延层、第一场氧层以及第一栅极沟槽；形成屏蔽栅极以及空腔；屏蔽栅极填充于部分第一栅极沟槽中；屏蔽栅极的顶端未被填充的第一栅极沟槽形成空腔；其中，屏蔽栅极顶端是平整表面；形成栅间氧化层、第二外延层、第二场氧层以及栅极；形成层间介质层、体区离子注入区、源区离子注入区以及接触孔；其中，体区离子注入区和源区离子注入区，沿远离第一外延层的方向上依次形成于栅极周围的第二外延层中；层间介质层形成于栅极与源区离子注入区表面；接触孔贯穿层间介质层，体区离子注入区和部分源区离子注入区。该技术方案解决了如何缩小SGTmosfet器件的特征尺寸的问题。

本发明授权SGT mosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SGTmosfet器件的制备方法，其特征在于，包括： 形成衬底、第一外延层、第一场氧层以及第一栅极沟槽；其中，所述第一外延层形成于所述衬底上；所述第一栅极沟槽形成于所述第一外延层中；所述第一场氧层形成于所述第一栅极沟槽的内壁，以及所述第一外延层的表面上； 形成屏蔽栅极以及空腔；所述屏蔽栅极填充于部分所述第一栅极沟槽中；所述屏蔽栅极的顶端未被填充的所述第一栅极沟槽形成所述空腔；其中，所述屏蔽栅极顶端是平整表面； 形成栅间氧化层、第二外延层、第二场氧层以及栅极；其中，所述第二外延层形成于所述第一外延层的顶端；所述栅间氧化层形成于所述空腔中；所述栅极形成于所述栅间氧化层的顶端；所述第二场氧层形成于所述栅极与所述第二外延层之间； 形成层间介质层、体区离子注入区、源区离子注入区以及接触孔；其中，所述体区离子注入区和所述源区离子注入区，沿远离所述第一外延层的方向上依次形成于所述栅极周围的所述第二外延层中；所述层间介质层形成于所述栅极与所述源区离子注入区表面；所述接触孔贯穿所述层间介质层，所述体区离子注入区和部分所述源区离子注入区； 其中，形成屏蔽栅极以及空腔具体包括： 在所述第一栅极沟槽中以及所述第一栅极沟槽外的所述第一场氧层表面沉积屏蔽栅极材料； 刻蚀所述屏蔽栅极材料，以在部分所述第一栅极沟槽中形成所述屏蔽栅极，并在所述屏蔽栅极的顶端形成所述空腔； 其中，形成栅间氧化层、第二外延层、第二场氧层以及栅极，具体包括： 在所述空腔中填充栅间氧化层材料，同时去除所述第一外延层的表面的所述第一场氧层；其中，所述栅间氧化层材料的高度与所述第一外延层的高度齐平； 在所述栅间氧化层材料与所述第一外延层的顶端沉积第二外延层材料； 形成图形化的硬掩模层；所述图形化的硬掩模层形成于所述第二外延层材料的表面； 以所述图形化的掩模层为掩模刻蚀所述第二外延层材料，并暴露出所述栅间氧化层材料，以形成第二栅极沟槽以及所述第二外延层；并对所述栅间氧化层材料的中间部分的表层进行刻蚀，以形成所述栅间氧化层；其中，所述栅间氧化层的边缘高度大于中间部分的高度； 去除所述图形化的硬掩模； 形成第二场氧层与栅极；所述第二场氧层形成于所述第二栅极沟槽的内壁，以及所述第二外延层的表面；所述栅极形成于所述第二栅极沟槽中。

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