格芯新加坡私人有限公司文凤雄获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利使用再分布层电极之间的隔离断口的电流隔离获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211615884.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权使用再分布层电极之间的隔离断口的电流隔离是由文凤雄;易万兵;陈元文;具正谟设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用再分布层电极之间的隔离断口的电流隔离在说明书摘要公布了：本公开涉及使用再分布层电极之间的隔离断口的电流隔离。一种结构包括：包括水平部分的电流隔离，该水平部分包括第一绝缘体层中的第一再分布层RDL电极以及第一绝缘体层中的与第一RDL电极横向间隔开的第二RDL电极。隔离断口包括限定在第一RDL电极和第二RDL电极之间的第一绝缘体层中的沟槽以及位于该沟槽中的至少一个第二绝缘体层。第一绝缘体层和第二绝缘体层位于第一RDL电极和第二RDL电极之间。隔离可以使例如具有不同电压电平的电压域分隔开。还公开了一种相关方法。该隔离还可以包括竖直部分，该竖直部分使用第一RDL电极和金属层中的另一电极，该另一电极与第一RDL电极通过多个互连电介质层分隔开。
本发明授权使用再分布层电极之间的隔离断口的电流隔离在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 包括水平部分的电流隔离，所述水平部分包括： 第一绝缘体层中的第一再分布层RDL电极； 所述第一绝缘体层中的与所述第一再分布层电极横向间隔开的第二再分布层电极；以及 隔离断口，其包括限定在所述第一再分布层电极和所述第二再分布层电极之间的所述第一绝缘体层中的沟槽以及位于所述沟槽中的至少一个第二绝缘体层， 其中，所述第一绝缘体层和所述至少一个第二绝缘体层位于所述第一再分布层电极和所述第二再分布层电极之间。
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