中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211329278.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;贾晓峰设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在半导体器件包括的至少两个晶体管具有的阈值电压的绝对值不同的情况下，降低该半导体器件的制造难度。所述半导体器件包括：半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。沿平行于第一环栅晶体管包括的第一栅堆叠结构的宽度方向，第一环栅晶体管包括的第一沟道区具有至少两列间隔设置的第一沟道部。沿平行于第二环栅晶体管包括的第二栅堆叠结构的宽度方向，第二环栅晶体管包括的第二沟道区具有至少两列间隔设置的第二沟道部。相邻两列第二沟道部的间距不同于相邻两列第一沟道部的间距。第二沟道区中至少一列第二沟道部的宽度不同于第一沟道区中至少一列第一沟道部的宽度。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体基底；沿平行于半导体基底表面的方向，所述半导体基底包括第一区域和第二区域； 第一环栅晶体管，形成在所述第一区域上；沿平行于所述第一环栅晶体管包括的第一栅堆叠结构的宽度方向，所述第一环栅晶体管包括的第一沟道区具有至少两列间隔设置的第一沟道部； 第二环栅晶体管，形成在所述第二区域上；沿平行于所述第二环栅晶体管包括的第二栅堆叠结构的宽度方向，所述第二环栅晶体管包括的第二沟道区具有至少两列间隔设置的第二沟道部；相邻两列所述第二沟道部的间距不同于相邻两列所述第一沟道部的间距；所述第二沟道区中至少一列所述第二沟道部的宽度不同于所述第一沟道区中至少一列第一沟道部的宽度。
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