武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司章嵩获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司申请的专利一种石墨烯/碳化硅复合材料及其制备方法与在电磁屏蔽设备中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115928043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320430.2，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种石墨烯/碳化硅复合材料及其制备方法与在电磁屏蔽设备中的应用是由章嵩;徐青芳;涂溶;张联盟;李志荣设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨烯/碳化硅复合材料及其制备方法与在电磁屏蔽设备中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种石墨烯碳化硅复合材料及其制备方法与在电磁屏蔽设备中的应用，所述石墨烯碳化硅复合材料由多层石墨烯和碳化硅晶粒复合得到，所述碳化硅晶粒均匀分布形成薄膜，多层石墨烯密实填充于碳化硅晶粒的表面和晶界之间，形成大量纳米级石墨烯碳化硅异质结构。本发明提供的石墨烯碳化硅复合材料具有高电导率，且具有良好的电磁屏蔽性能和耐高温氧化性能，在0.45mm厚度下，其电磁屏蔽效能为74.2dB，其耐热指数THRI＝330.13℃，保证了该复合材料在恶劣环境下的稳定性，在电磁屏蔽设备等领域具有良好的应用前景。
本发明授权一种石墨烯/碳化硅复合材料及其制备方法与在电磁屏蔽设备中的应用在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯碳化硅复合材料，其特征在于，所述石墨烯碳化硅复合材料由多层石墨烯和碳化硅晶粒复合得到，所述碳化硅晶粒均匀分布形成薄膜，多层石墨烯密实填充于碳化硅晶粒的表面和晶界之间，形成大量纳米级石墨烯碳化硅异质结构，所述多层石墨烯层数为6～20层； 其制备方法具体步骤如下： 1将清洗干净的基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体中，调整基板位置使其位于激光覆盖范围内； 2将沉积腔体抽真空至10Pa以下，通入H2和含有前驱体的载气，调节沉积压强为200～3000Pa，并稳定5分钟； 3开启激光照射基板，使基板表面升温至沉积温度进行沉积，沉积温度为1400～1600℃，沉积时间为10～60min，沉积结束后依次关闭前驱体、载气和激光，当基板温度降至150℃时关闭H2，然后抽真空至20Pa以下，使基片冷却至室温，在基片表面得到石墨烯碳化硅复合材料。
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