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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX₂垂直异质结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115652261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211275889.5，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX₂垂直异质结的制备方法是由郝国林;肖金彪;郝玉龙;高慧;贺力员设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX₂垂直异质结的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te‑MX2垂直异质结纳米结构的制备方法。采用两步生长法，通过调节限域高度、生长时间以及MX2处理工艺，可以实现二维MX2表面生长的一维碲纳米线尺寸、取向与疏密程度的有效调控。将碲粉末放在氧化铝舟置于加热温区。然后用一片玻璃基底盖在长有单层MX2的玻璃基底上形成限域空间，并将其置于加热温区下游。利用低压气相外延生长技术在单层二维MX2表面外延生长一维Te纳米线，形成Te‑MX2垂直异质结。Te‑MX2垂直异质结展现出优异的非线性光学吸收特性，饱和吸收特性大幅增加，调制深度提升至28.1％，在可饱和吸收体、光调制器领域有着广阔的应用前景。

本发明授权一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX₂垂直异质结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX2垂直异质结的制备方法，其中，M为Mo或W，X为S或Se，其特征在于，包括如下步骤： （1）准备一片长有MX2的玻璃基底，把石墨垫块放置在基底的两侧，将另一片干净的玻璃片以“面对面”的形式盖在长有MX2的玻璃基底上，形成一个微反应腔，通过控制石墨垫块的高度调控反应腔的空间高度，然后将整个微反应腔放置于管式炉下游端距离中心加热温区20-24cm处； （2）将碲粉末放在氧化铝舟中置于中心加热温区； （3）向管式炉的反应腔内通入氩气15-30min进行清洗； （4）清洗结束后，开启真空泵，通入氩气作为载气，升高管式炉的温度，使碲粉所在温区的温度加热至280-300℃，设置生长时间为15-25分钟，进行大面积Te-MX2垂直异质结纳米结构的生长； （5）生长结束后，温度自然降至室温，关闭真空泵与氩气，即得到大面积Te-MX2异质结纳米结构； 步骤（1）中，石墨垫控制干净的玻璃片与长有MX2的玻璃基底相距1-3mm； 步骤（1）中，以石墨片作为放置整个微反应腔的衬底，以调整微反应腔在管式炉中的位置； 所述长有MX2的玻璃基底为长有单层大面积MX2的玻璃基底，制备方法包括如下步骤： 1将金属钼箔放置在管式炉加热区中心，升高温度至470-490℃，在空气氛围中氧化得到氧化钼箔；或将金属钨箔放置在管式炉加热区中心，升高温度至580-620℃，在空气氛围中氧化得到氧化钨箔； 2将氧化钼箔或氧化钨箔盖在玻璃基底上放在高温管式炉的加热中心，按照气流由上游至下游的顺序，依次放置装有硫粉或硒粉的氧化铝舟与生长基底，向高温管式炉的反应腔内通入氩气进行清洗； 3升高管式炉的温度，使硫粉的温度加热至300~320℃或硒粉的温度加热至360~400℃、氧化钼箔的温度加热至750℃或氧化钨箔的温度加热至780-800℃，生长时间为10分钟，生长结束后，温度自然降至室温，关闭氩气，即得到长有单层大面积MX2的玻璃基底。

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