中国科学院微电子研究所文志东获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利黑硅的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115415664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211154718.7，技术领域涉及：B23K26/046；该发明授权黑硅的制备方法是由文志东;侯煜;张喆;张昆鹏;宋琦;许子业;石海燕;李曼;王然;岳嵩;薛美;张紫辰设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本黑硅的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种黑硅的制备方法，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构。本发明提供的黑硅的制备方法，能够降低激光加工过程中对材料的保护要求，减少危险化工物品的使用。
本发明授权黑硅的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种黑硅的制备方法，其特征在于，包括： 在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构； 在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构； 其中，第二光斑对当前加工路径的第二次诱导加工时，对下一加工路径的杂质堆积形成清洗； 其中，所述第二光斑的直径为第一光斑直径的1.15-2.5倍；所述第一光斑的能量密度为0.7-2Jcm2；所述第二光斑的能量密度为0.3-0.5Jcm2。
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