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龙图腾网获悉江西圆融光电科技有限公司申请的专利一种LED芯片及其刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211151838.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED芯片及其刻蚀方法是由杨天鹏;杨建国;卜浩礼;康建;邹浩洪;周荣设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED芯片及其刻蚀方法，涉及LED照明技术领域。LED芯片的刻蚀方法包括以下步骤：S1、提供芯片衬底；S2、在S1中衬底外延层上设置电流阻挡层、金属导电层、电流拓展层和钝化层；S3、对S2中的初次刻蚀产物去除刻蚀胶；S4、对正性光刻胶和负性光刻胶分别进行光刻处理。通过进行n次刻蚀实现对LED芯片进行深刻蚀的同时，能够有规律的进行蚀刻工作，从而能够避免出现加工过程错乱的现象，使得能够提升刻蚀的加工效率；通过多次进行刻蚀，使得加工生产出的LED芯片的界面更加的平整，且通过等离子清洗机的清洗，能够避免LED芯片有漏电的可能，进一步的能够提升LED芯片的良品率，能够提升LED芯片生产的良品率。

本发明授权一种LED芯片及其刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于：所述LED芯片的刻蚀方法包括以下步骤： S1、提供芯片衬底，在所述衬底上喷涂外延层； S2、在S1中衬底外延层上设置电流阻挡层、金属导电层、电流拓展层和钝化层，并进行淹膜Si02层的沉积，对所述钝化层进行初次刻蚀，得初次刻蚀产物； S3、对S2中的初次刻蚀产物去除刻蚀胶，并对外延层远离衬底一侧旋涂抹正性光刻胶，对所述正性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作，对外延层靠近衬底一侧旋涂抹负性光刻胶，对所述负性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作； S4、对正性光刻胶和负性光刻胶分别进行光刻处理，并露出透明导电层的待刻蚀区域，对所述待刻蚀区域进行等离子清洁处理，并进行n次刻蚀，n从1开始且为整数，按照从第1次刻蚀至第n次刻蚀的顺序进行刻蚀，且每次刻蚀的温度与n呈正比例关系，每次刻蚀的中刻蚀液的浓度与n呈负比例关系； 所述刻蚀的温度为42-82摄氏度； 所述刻蚀液的浓度为1.2*10-6mloL-3.5*10-6mloL； 所述n次刻蚀的过程中，任意相邻的两次刻蚀中后一次所用的刻蚀液浓度是前一次刻蚀所用的刻蚀液浓度的0.65-0.75倍，所述n次刻蚀的过程中任意相邻的两次刻蚀中的刻蚀时间均相同； 所述n次刻蚀的过程中，任意相邻的两次刻蚀中后一次所用的刻蚀温度是前一次刻蚀所用的刻蚀温度的1.0125-1.15倍。

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