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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210978074.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法是由申占伟;孙国胜;曾一平设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法，包括：制备第一MOS器件和第二MOS器件；根据第一MOS器件线性区的导通电阻R1和第二MOS器件线性区的导通电阻R2，得到两者之间的差值ΔR1；根据第一栅沟槽的个数、单位长度和第一栅沟槽的宽度得到M1；绘制ΔR1与M1的曲线图，确定曲线斜率K2和截距rs；根据栅电极接触的单位面积电容、栅电极接触点处所施加的电压以及第一MOS器件第二MOS器件中以N漂移层为沟道的阈值电压得到M2；通过K2与M2，得到MOS器件积累型沟道迁移率。本公开有效避免光刻、刻蚀等工艺对所提取沟道迁移率准确性的影响，丰富了MOS器件沟道迁移率的检测途径。

本发明授权一种MOS器件的沟道迁移率和光刻变化量的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件积累型沟道迁移率的检测方法，其特征在于，包括： 采用所述MOS器件的制备工艺制备第一MOS器件和第二MOS器件，其中，所述第一MOS器件上等距开设有n个第一栅沟槽110，所述n个第一栅沟槽110的宽度W相同，所述第二MOS器件上等距开设有n个第二栅沟槽120，所述n个第二栅沟槽120的宽度依次为W、W+Δx、W+2Δx、W+3Δx...W+n-1Δx； 根据第一MOS器件线性区的导通电阻R1和第二MOS器件线性区的导通电阻R2，得到两者之间的差值ΔR1； 根据所述第一栅沟槽110第二栅沟槽120的个数、单位长度和所述第一栅沟槽110的宽度得到M1，n表示所述第一栅沟槽110第二栅沟槽120的个数，Δx表示所述单位长度，W表示所述第一栅沟槽110的宽度； 绘制所述ΔR1与所述M1的曲线图，确定曲线斜率K2和截距rs； 根据栅电极接触80的单位面积电容、所述栅电极接触点处所施加的电压以及所述第一MOS器件第二MOS器件中以N漂移层30为沟道的阈值电压得到M2，M2＝COXVG-VT2；COX表示所述栅电极接触80的单位面积电容，VG表示所述栅电极接触点处所施加的电压，VT2表示所述第一MOS器件第二MOS器件中以N漂移层30为沟道的阈值电压； 通过所述K2与所述M2，得到所述MOS器件积累型沟道迁移率

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