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龙图腾网获悉飞尼科斯(苏州)电子有限公司申请的专利一种倒装LED芯片及其生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210634900.6，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种倒装LED芯片及其生产工艺是由薛谆;薛龄设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装LED芯片及其生产工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装LED芯片及其生产工艺，包括基板，基板的顶部内嵌有n极导电板和p极导电板，n极导电板的顶部焊接有定位框一，p极导电板的顶部焊接有定位框二，基板的顶部设置有p型氮化镓层，p型氮化镓层的底部外壁设置有n型氮化镓层，n型氮化镓层的底部外壁设置有n电极，n型氮化镓层位于定位框一的内部，定位框一和定位框二的内部设置有焊接料。本发明通过向定位框一和定位框二内部进行添加焊接料，并对焊接料融化后与n极导电板和p极导电板进行焊接，使得倒装LED芯片的电极接触面增大，提高倒装LED芯片的导热效果。

本发明授权一种倒装LED芯片及其生产工艺在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片，包括基板（1），其特征在于，所述基板（1）的顶部内嵌有n极导电板（9）和p极导电板（16），所述n极导电板（9）的顶部焊接有定位框一（10），所述p极导电板（16）的顶部焊接有定位框二（15），所述基板（1）的顶部设置有p型氮化镓层（2），所述p型氮化镓层（2）的底部外壁设置有n型氮化镓层（7），所述n型氮化镓层（7）的底部外壁设置有n电极（3），所述n型氮化镓层（7）位于定位框一（10）的内部，所述定位框一（10）和定位框二（15）的内部设置有焊接料（14）； 所述p型氮化镓层（2）的底部外壁设置有p电极（12），所述p电极（12）位于定位框二（15）的内部，所述p电极（12）通过焊接料（14）与定位框二（15）焊接； 所述p型氮化镓层（2）的顶部外壁设置有蓝宝石层（4），所述蓝宝石层（4）的顶部外壁设置有防腐蚀层（5）； 所述p型氮化镓层（2）和n型氮化镓层（7）之间设置有量子阱层（6），所述量子阱层（6）的厚度为8-20nm； 所述n电极（3）和p电极（12）的底部外壁均焊接有导体连接脚（8），所述导体连接脚（8）的底端一体成型有挡片（17）； 所述基板（1）的底部外壁一体成型有均匀分布的散热板（11），相邻的两个所述散热板（11）之间设置有散热间隙（13）。

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