艾普凌科株式会社上村纮崇获国家专利权
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龙图腾网获悉艾普凌科株式会社申请的专利磁性传感器及磁性检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113311370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212146.2，技术领域涉及：G01R33/07；该发明授权磁性传感器及磁性检测方法是由上村纮崇;五十岚敦史;加藤贵博设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性传感器及磁性检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁性传感器及磁性检测方法，能够提高对于被测定磁场的瞬态响应特性。本发明的磁性传感器100包括：霍尔集成电路120，在表面形成有霍尔元件121；以及引线框架110，支撑霍尔集成电路120，并且引线框架110包括：第一区域111a，配置于霍尔元件121的附近，利用通过施加被测定磁场H而生成的第一涡电流ia，来产生第一磁场ha；以及第二区域111b、第二区域111c，与第一区域111a分离而配置，利用通过施加被测定磁场H而生成的第二涡电流ib、第二涡电流ic，来产生将第一磁场ha消除的强度的第二磁场hb+hc。
本发明授权磁性传感器及磁性检测方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性传感器，其特征在于，包括： 芯片状的半导体装置，在表面形成有磁性检测元件； 导电性基体，支撑所述半导体装置；以及 引线框架，包括配置于中央的作为所述导电性基体的晶粒座、以及配置于所述晶粒座的周围的多种引线，并且 所述导电性基体包括： 第一区域，配置于所述磁性检测元件的附近，利用通过施加被测定磁场而生成的第一涡电流，来产生第一磁场；以及 第二区域，与所述第一区域分离而配置，利用通过施加所述被测定磁场而生成的第二涡电流，来产生将所述第一磁场消除的强度的第二磁场。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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