东京毅力科创株式会社中谷理子获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110189883.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理方法是由中谷理子;箕浦佑也;后平拓设计研发完成，并于2021-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及等离子体处理方法。[课题]抑制腔室内的部件的消耗、且实现工艺的稳定化。[解决方案]一种等离子体处理方法，其为对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括如下工序：在腔室内将含有碳和氢的第1气体等离子体化，从而用具有导电性的膜涂覆腔室内的部件的表面的工序；向腔室内搬入基板的工序；和，在腔室内的部件的表面用具有导电性的膜涂覆了的状态下，在腔室内将第2气体等离子体化，从而对基板进行处理的工序。
本发明授权等离子体处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理方法，其为对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括如下工序： 在腔室内将含有碳和氢的第1气体等离子体化，从而用具有导电性的膜涂覆所述腔室内的部件的表面的工序； 向所述腔室内的包含下部电极的支撑部上配置所述基板的工序；和， 在所述腔室内的部件的表面用所述具有导电性的膜涂覆了的状态下，向所述下部电极供给等离子体生成用的RF电力，在所述腔室内将第2气体等离子体化，从而对所述基板进行处理的工序， 其中，所述处理的工序后，还包括如下工序：在所述腔室内将含有氧的第3气体等离子体化，从而将所述具有导电性的膜去除， 执行所述去除的工序后，再次执行所述涂覆的工序，然后，执行所述处理的工序， 所述涂覆的工序中， 所述具有导电性的膜以20nm以上的厚度形成在所述腔室内的部件的表面。
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