中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘睿获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011334080.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘睿;陈蓉峰设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括基底和器件结构；位于器件结构上的导电层；位于导电层上的复合层，复合层包括第一膜层；位于衬底上的介质层，介质层内具有第一开口；位于第一膜层内的第二开口，第二开口的侧壁相对于第一开口的侧壁凹陷；位于第一开口和第二开口内的导电插塞。通过第二开口的侧壁相对于第一开口的侧壁凹陷，在平坦化处理形成导电插塞的过程中，能够有效增加平坦化处理溶液的流经路径，进而减小平坦化处理溶液对导电层的刻蚀损伤；另外，还可以使得导电插塞在第二开口内的生长受到限制，进而使得导电插塞在第二开口形成的结构更为致密，进一步的减小平坦化处理溶液流向导电层造成损伤。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件结构； 位于所述器件结构上的导电层； 位于所述导电层上的至少一层复合层，所述复合层包括位于所述导电层上的第一膜层； 位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述器件结构和所述复合层，所述介质层内具有第一开口； 位于所述第一膜层内的第二开口，所述第二开口的侧壁相对于所述第一开口的侧壁凹陷； 位于所述第一开口和所述第二开口内的导电插塞；其中， 所述第二开口的侧壁相对于所述第一开口的侧壁凹陷用于在平坦化处理形成所述导电插塞的过程中，增加平坦化处理溶液的流经路径减小平坦化处理溶液对所述导电层的刻蚀损伤。
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