美商新思科技有限公司A·A·波那瓦拉获国家专利权
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龙图腾网获悉美商新思科技有限公司申请的专利逆光刻和用于掩模合成的机器学习的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115087924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080096379.4，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权逆光刻和用于掩模合成的机器学习的方法是由A·A·波那瓦拉;J·J·舒;T·C·塞西尔设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本逆光刻和用于掩模合成的机器学习的方法在说明书摘要公布了：公开了与合成用于在制造半导体器件时使用的掩模相关的技术。通过使用逆光刻技术ILT合成与用于半导体器件的设计图案相关的一个或多个多边形来生成用于机器学习ML模型的多个训练掩模106。使用通过使用ILT所生成的多个训练掩模和用于半导体器件的设计图案两者作为输入来训练ML模型108。经训练的ML模型被配置为基于设计图案来合成用于在制造半导体器件时使用的一个或多个掩模110。
本发明授权逆光刻和用于掩模合成的机器学习的方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 通过使用逆光刻技术ILT合成一个或多个多边形，来生成用于机器学习ML模型的多个训练掩模，所述一个或多个多边形与用于半导体器件的设计图案相关；以及 使用通过使用ILT所生成的所述多个训练掩模和用于所述半导体器件的所述设计图案两者作为输入来训练所述ML模型，其中经训练的所述ML模型被配置为基于所述设计图案来合成用于在制造所述半导体器件时使用的一个或多个掩模，其中在训练所述ML模型之前，对所述多个训练掩模中的一个或多个训练掩模进行预处理以提高所述一个或多个训练掩模的对称性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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