台湾积体电路制造股份有限公司苏圣凯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011313544.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法是由苏圣凯;蔡劲设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：方法包括：蚀刻介电层以形成介电鳍；在介电鳍上沉积过渡金属二硫属化物层；以及对过渡金属二硫属化物层实施各向异性蚀刻工艺。去除过渡金属二硫属化物层的水平部分，并且保留位于介电鳍的侧壁上的过渡金属二硫属化物层的垂直部分以形成垂直半导体环。该方法还包括：在二维半导体垂直半导体环的第一部分上形成栅极堆叠件；以及形成源极漏极接触插塞，其中，源极漏极接触插塞接触垂直半导体环的第二部分的侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 蚀刻介电层以形成介电鳍； 在所述介电鳍上沉积过渡金属二硫属化物层； 对所述过渡金属二硫属化物层实施第一各向异性蚀刻工艺，其中，去除所述过渡金属二硫属化物层的水平部分，并且保留位于所述介电鳍侧壁上的所述过渡金属二硫属化物层的垂直部分以形成垂直半导体环； 在所述垂直半导体环的第一部分上形成栅极堆叠件；以及 形成源极漏极接触插塞，其中，所述垂直半导体环环绕所述介电鳍的周侧壁，所述源极漏极接触插塞接触所述垂直半导体环的彼此相对的第一对侧壁以及彼此相对的第二对侧壁。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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