上海师范大学张巧珍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海师范大学申请的专利一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112468109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011285632.9，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底是由张巧珍;刘会灵;赵祥永设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，利用水平剪切型漏声表面波，其包括依次排列的叉指换能器、压电薄膜层、至少一层布拉格反射层以及衬底层；布拉格反射层是由低声阻抗层覆盖在高声阻抗层上形成的，压电薄膜层为掺钪氮化铝薄膜，掺钪氮化铝薄膜的欧拉角设置为0°±5°、θ、ψ时，θ和ψ分别满足以下条件：50°≤θ≤90°，40°≤ψ≤80°。本发明的异质层状压电基底，能够抑制能量向衬底的泄露，将能量集中在有效压电层内，提高压电转换效率；利用旋转欧拉角优化压电薄膜取向，能够调节声场分布，得到具有优良声表面波性能的漏声表面波，特别适用于高频、宽带声表面波器件，极具应用前景。
本发明授权一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底在权利要求书中公布了：1.一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底，其特征在于，利用水平剪切型漏声表面波，其包括依次排列的叉指换能器、压电薄膜层、布拉格反射层以及衬底层； 所述压电薄膜层为掺钪氮化铝薄膜，所述掺钪氮化铝薄膜中钪的掺杂摩尔百分比为0～40％；所述掺钪氮化铝薄膜的厚度为0.1λ～0.4λ，λ为声表面波波长；旋转掺钪氮化铝压电薄膜的欧拉角，所述掺钪氮化铝薄膜的欧拉角设置为0°±5°、θ、ψ时，θ和ψ分别满足以下条件： 50°≤θ≤90°，40°≤ψ≤80°； 所述压电薄膜层与衬底层之间层叠有n层布拉格反射层，n≥1； 所述布拉格反射层是由低声阻抗层覆盖在高声阻抗层上形成的，所述低声阻抗层的声速小于高声阻抗层的声速，同一布拉格反射层中低声阻抗层相比于高声阻抗层更靠近压电薄膜层，低声阻抗层为厚度为0.1λ～λ的SiO2膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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