杭州富芯半导体有限公司田斌伟获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利集成深沟槽隔离结构的器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063396.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权集成深沟槽隔离结构的器件及其制备方法是由田斌伟设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成深沟槽隔离结构的器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种集成深沟槽隔离结构的器件及其制备方法；制备方法可以包括：提供半导体结构，半导体结构包括基底、层叠于基底表面的栅极材料层和层叠于栅极材料层的掩膜层，基底中形成有半导体器件的功能元件；于半导体结构中形成深沟槽，深沟槽贯穿掩膜层、栅极材料层并深入基底；对深沟槽进行填充，形成深沟槽隔离结构，深沟槽隔离结构包括填充结构，填充结构不高于基底表面，填充结构的材料为可导电的非金属材料；图案化刻蚀栅极材料层，形成栅极结构；去除掩膜层。本申请能够将深沟槽隔离结构的制备工序整合至BCD等器件的栅极结构制备的标准工艺中，简化深沟槽隔离的集成工艺并降低制备成本。
本发明授权集成深沟槽隔离结构的器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成深沟槽隔离结构的器件制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括基底、层叠于基底表面的栅极材料层和层叠于所述栅极材料层的掩膜层，所述基底中形成有半导体器件的功能元件； 于所述半导体结构中形成深沟槽，所述深沟槽贯穿所述掩膜层、所述栅极材料层并深入所述基底； 对所述深沟槽进行填充，形成深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构包括填充结构，所述填充结构不高于所述基底表面，所述填充结构的材料为可导电的非金属材料； 图案化刻蚀所述栅极材料层，形成栅极结构； 去除所述掩膜层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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