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龙图腾网获悉杭州宽能半导体有限公司申请的专利一种SIC半导体湿法加工用调压装置和半导体加工设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511048122.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种SIC半导体湿法加工用调压装置和半导体加工设备是由沈奎邦设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SIC半导体湿法加工用调压装置和半导体加工设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工领域，公开了一种SIC半导体湿法加工用调压装置和半导体加工设备，包括刻蚀设备本体，所述刻蚀设备本体的一端固定连接有气压表壳，气压表壳的内腔固定连接有表盘，表盘的中部转动连接有第一转轴，第一转轴的一端固定连接有指针，气压表壳的底端固定连通有连接气管，连接气管的一端与刻蚀设备本体固定连通，连接气管的另一端固定连通有波登管，波登管的一端转动连接有第一连接杆，第一连接杆的一端转动连接有第二连接杆。相较于现有技术，本申请使得刻蚀设备本体内进行蚀刻的半导体在发生化学反应时产生的气泡可以较快的上浮，降低气泡附着在半导体外壁导致湿法刻蚀失败或者效果较差的情况出现。

本发明授权一种SIC半导体湿法加工用调压装置和半导体加工设备在权利要求书中公布了：1.一种SIC半导体湿法加工用调压装置，其特征在于：包括刻蚀设备本体（1），所述刻蚀设备本体（1）的一端固定连接有气压表壳（2），所述气压表壳（2）的内腔固定连接有表盘（3），所述表盘（3）的中部转动连接有第一转轴（4），所述第一转轴（4）的一端固定连接有指针（5），所述气压表壳（2）的底端固定连通有连接气管（6），所述连接气管（6）的一端与所述刻蚀设备本体（1）固定连通，所述连接气管（6）的另一端固定连通有波登管（7），所述波登管（7）的一端转动连接有第一连接杆（8），所述第一连接杆（8）的一端转动连接有第二连接杆（9），所述第二连接杆（9）的一端固定连接有第二转轴（10），所述第二转轴（10）的中部固定连接有半齿轮（11），所述半齿轮（11）的一端啮合有圆齿轮（12），所述圆齿轮（12）与所述第一转轴（4）的另一端固定连接，所述第二转轴（10）的一端转动连接有固定架（14），所述固定架（14）与所述气压表壳（2）固定连接，所述第二转轴（10）的一端设置有抽气组件，所述抽气组件抽取刻蚀设备本体（1）内气体； 所述抽气组件包括与所述第二转轴（10）固定连接的绝缘环（15），所述绝缘环（15）的一端固定连接有控制杆（16），所述气压表壳（2）的内壁固定连接有限位块（17），所述限位块（17）的中部开设有移动槽（18），所述移动槽（18）的一端固定连接有第一触摸块（19），所述第一触摸块（19）的一端固定连接有第一电线（20），所述第一电线（20）贯穿至所述气压表壳（2）外部的一端固定连接有抽气泵（21），所述抽气泵（21）与所述刻蚀设备本体（1）固定连通。

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