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成都电科蓉芯科技有限公司彭磊获国家专利权

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龙图腾网获悉成都电科蓉芯科技有限公司申请的专利基于粒子群算法的DDR3内存芯片集成电路测试方法和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120544646B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511037564.7,技术领域涉及:G11C29/12;该发明授权基于粒子群算法的DDR3内存芯片集成电路测试方法和系统是由彭磊;叶锦宏;张文远;苟绍予设计研发完成,并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

基于粒子群算法的DDR3内存芯片集成电路测试方法和系统在说明书摘要公布了:本申请涉及内存监测技术领域,提供了一种基于粒子群算法的DDR3内存芯片集成电路测试方法和系统。一种基于粒子群算法的DDR3内存芯片集成电路测试方法包括:S1:预先配置检测环境,将待测芯片布置于检测环境内;S2:对待测芯片通电,获取待测芯片输出端输出的反馈信号;S3:将反馈信号采用脉冲转化模块转化为脉冲信号;S5:收集待测芯片在不同电压下的频率信息建立频率信息与工作电压的链接关系,基于粒子群算法提取链接关系表征待测芯片性能的评价参数。本方案能在芯片贴装前高效、准确地筛选出时钟精度差或电压适应性不佳的劣质芯片,显著降低因模组级测试失败导致的连带报废损失和生产成本。

本发明授权基于粒子群算法的DDR3内存芯片集成电路测试方法和系统在权利要求书中公布了:1.一种基于粒子群算法的DDR3内存芯片集成电路测试方法,其特征在于,包括: S1:预先配置检测环境,将待测芯片布置于检测环境内; S2:对待测芯片通电,获取待测芯片输出端输出的反馈信号; S3:将反馈信号采用脉冲转换模块转化为脉冲信号; S4:接收单位时间内待测芯片输出端输出的脉冲信号产生的信号数量,生成检测频率信息; S5:收集待测芯片在不同电压下的频率信息,建立频率信息与工作电压的链接关系,基于粒子群算法提取链接关系表征待测芯片性能的评价参数; S3包括如下步骤: S31:信号放大单元用于将反馈信号放大生成模拟信号; S32:将模拟信号分三路分别进行不同范围的幅值滤波得到第一滤波信号、第二滤波信号以及第三滤波信号; S33:将第一滤波信号、第二滤波信号以及第三滤波信号中的波峰替换为正向脉冲、波谷替换为负向脉冲并耦合为脉冲信号; 第一滤波信号、第二滤波信号以及第三滤波信号对应的幅值滤波的范围互不相交; 波峰替换为正向脉冲、波谷替换为负向脉冲时的方法包括如下步骤: S331:根据幅值滤波的范围设置波峰的激发阈值范围和波谷的激发阈值; S332:接收滤波信号,当信号进入到波峰的激发阈值范围则记作一次正向脉冲,当信号进入到波谷的激发阈值范围则记作一次负向脉冲; S333:正向脉冲和负向脉冲的时间长度相同,生成脉冲信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都电科蓉芯科技有限公司,其通讯地址为:610299 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区天府新区兴隆街道湖畔路北段715号1号楼302室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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