华晟昇纳米科技(成都)有限公司张斌获国家专利权
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龙图腾网获悉华晟昇纳米科技(成都)有限公司申请的专利一种高效水冷抗污染的小型圆形阳极层离子源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120511182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511001815.6,技术领域涉及:H01J37/08;该发明授权一种高效水冷抗污染的小型圆形阳极层离子源是由张斌;周君君设计研发完成,并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效水冷抗污染的小型圆形阳极层离子源在说明书摘要公布了:本发明涉及真空镀膜技术领域,具体涉及一种高效水冷抗污染的小型圆形阳极层离子源,包括第一安装环,第一安装环的右侧安装有内外阴极导磁底板,内外阴极导磁底板的右侧安装有磁轨环,磁轨环的中心安装有阳极环,阳极环的中心安装有内阴极环导磁匀气柱,内阴极环导磁匀气柱的中心设置有第一气孔,第一气孔连接有进气管,磁轨环的右侧安装有外阴极环,外阴极环的中心安装有内阴极环,内阴极环和外阴极环之间留有通过间隙,外阴极环内壁呈第一圆台面;内阴极环外壁呈第二圆台面。本发明的内阴极环、外阴极环和阳极环均采用圆形,且彼此之间的布置位置有利于整个离子源的小型化。
本发明授权一种高效水冷抗污染的小型圆形阳极层离子源在权利要求书中公布了:1.一种高效水冷抗污染的小型圆形阳极层离子源,其特征在于,包括第一安装环(1),所述第一安装环(1)的右侧安装有内外阴极导磁底板(2),所述内外阴极导磁底板(2)的右侧安装有磁轨环(3),所述磁轨环(3)内安装有若干个磁体(4),所述磁轨环(3)的中心安装有阳极环(5),所述阳极环(5)的中心安装有内阴极环导磁匀气柱(6),所述内阴极环导磁匀气柱(6)的中心设置有贯通左右两侧的第一气孔(7),所述第一气孔(7)连接有进气管(8),所述磁轨环(3)的右侧安装有呈环状的外阴极环(9),所述外阴极环(9)的中心安装有内阴极环(10),所述内阴极环(10)和外阴极环(9)之间留有通过间隙(11),所述第一气孔(7)的右端对准所述内阴极环(10)的左侧,所述外阴极环(9)内壁的直径由靠近左侧的位置至右侧逐渐增大呈第一圆台面(12);所述内阴极环(10)外壁的直径由靠近左侧的位置至右侧逐渐增大呈第二圆台面(13);还包括活动管(45),所述第一安装环(1)安装于所述活动管(45)的内壁,所述活动管(45)的外壁套设有固定管(46),所述固定管(46)的外壁在靠近右端的位置套设有第二安装环(47),所述活动管(45)的外壁设置有第一螺纹,所述固定管(46)的左端设置有套设于活动管(45)外壁的第一驱动环(48),所述第一驱动环(48)的内壁设置有与第一螺纹相匹配的第二螺纹,所述固定管(46)左端的外壁套设有第一轴承(49),所述第一轴承(49)的内环和所述固定管(46)的外壁固定相连,外环套设有第一外齿环(50),所述第一外齿环(50)的左侧与所述第一驱动环(48)相连,所述固定管(46)的外壁上安装有第一电机(51),所述第一电机(51)的输出轴上套设有第一齿轮(52),所述第一齿轮(52)与所述第一外齿环(50)啮合相连,所述活动管(45)的外壁沿轴向凹陷设置有第一滑槽(53),所述固定管(46)的内壁设置有与所述第一滑槽(53)滑动相连的第一滑条(54)。
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