浙江大学钟欢获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种具有非对称阶梯形场氧的LDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510752454.2，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种具有非对称阶梯形场氧的LDMOS器件是由钟欢;綦殿禹;许凯;高大为设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有非对称阶梯形场氧的LDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有非对称阶梯形场氧的LDMOS器件。本发明LDMOS器件的场氧结构采用非对称阶梯形，实现STI厚度的非对称协同调控，阶梯侧通过梯度扩展场氧边界，削弱STI拐角处的电场集中，使击穿电压提升，非阶梯侧的倾斜角度保留厚场氧区域，抑制源极侧电场尖峰，延缓雪崩击穿，同时降低热载流子注入风险。该结构兼顾了击穿能力与导通效率的协同优化，特别适用于对低损耗与高可靠性要求兼具的高压BCD平台，是一种具有工艺兼容性强、设计灵活性高的结构创新方案。
本发明授权一种具有非对称阶梯形场氧的LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种具有非对称阶梯形场氧结构的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括： 衬底1； 栅极7，形成于所述衬底1上方； 漂移区2、第一阱区4，分别形成在所述衬底1的两侧，且所述第一阱区4与所述漂移区2间存在距离； 第二阱区5，形成在所述漂移区2内； 体区8，形成在所述第一阱区4内； 非对称阶梯形场氧结构3，形成在所述漂移区2内； 漏极11，形成在所述第二阱区5内； 源极10和体极12，形成在所述体区8内； 其中，所述非对称阶梯形场氧结构3为一体成型结构，包括从下至上配置的底部梯形结构3-2、顶部梯形结构3-1；所述底部梯形结构3-2的朝向所述第一阱区4侧壁与所述顶部梯形结构3-1的朝向所述第一阱区4侧壁位于同一直线；所述顶部梯形结构3-1的下端与所述底部梯形结构3-2的上端连接，且所述顶部梯形结构3-1的下端长度大于所述底部梯形结构3-2的上端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励